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1. (WO2018034067) キャパシタ付半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/034067    International Application No.:    PCT/JP2017/024085
Publication Date: Fri Feb 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Jul 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 23/14
H01G 4/002
H01L 21/822
H01L 23/12
H01L 25/00
H01L 27/04
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
株式会社村田製作所
Inventors: KOBAYASHI, Naoyuki
小林 尚之
Title: キャパシタ付半導体装置
Abstract:
温度変化が起こっても、反ったり、半導体素子が破損したり、接続不良が発生したりすることが抑制されたキャパシタ付半導体装置を提供する。 Siにより形成された少なくとも1つのSi半導体素子3と、Siにより形成された少なくとも1つのSiキャパシタ4と、を備え、Si半導体素子3とSiキャパシタ4とが、それぞれ、Siにより形成された1つのSiインターポーザ1に実装されることにより、平面方向に並べて配置されたものとする。