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1. (WO2018032670) METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/032670 国際出願番号: PCT/CN2016/110072
国際公開日: 22.02.2018 国際出願日: 15.12.2016
IPC:
H01L 21/77 (2017.01)
出願人: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; NO.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132, CN
発明者: GAN, Qiming; CN
代理人: COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
優先権情報:
201610685365.117.08.2016CN
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN SUBSTRAT DE TRANSISTOR TFT
(ZH) TFT基板的制作方法
要約: front page image
(EN) A method for manufacturing a TFT substrate. The method comprises: patterning a passivation layer by means of a halftone mask or a gray-level mask, so that a pixel electrode via hole and the passivation layer with a patterned trench can be manufactured by means of one mask; and directly depositing a transparent conductive material on the passivation layer with the patterned trench to manufacture a pixel electrode. The pixel electrode is patterned without the mask; the manufacturing of the whole TFT substrate can be completed by means of three masks, and does not need an ITO lift-off technique, so that the manufacturing difficulty is low and the efficiency is high.
(FR) La présente invention concerne un procédé permettant de fabriquer un substrat de transistor à couches minces (TFT pour Thin Film Transistor). Le procédé consiste : à former un motif sur une couche de passivation au moyen d'un masque en demi-teinte ou d'un masque de niveau de gris de telle sorte qu'un trou d'interconnexion d'électrode de pixel et la couche de passivation ayant une tranchée à motif puissent être fabriqués au moyen d'un masque; et à déposer directement un matériau conducteur transparent sur la couche de passivation ayant la tranchée à motifs pour fabriquer une électrode de pixel. L'électrode de pixel est décorée d'un motif sans le masque; la fabrication de tout le substrat de transistor TFT peut être achevée au moyen de trois masques et n'a pas besoin d'une technique de décollement ITO de telle sorte que la difficulté de fabrication soit faible et que l'efficacité soit élevée.
(ZH) 一种TFT基板的制作方法,该方法通过半色调光罩或灰阶光罩图案化钝化层,进而通过一道光罩就可以制得像素电极过孔和沟槽图案化的钝化层,接着在沟槽图案化的钝化层上直接顺势沉积透明导电材料,即可制得像素电极,该像素电极无需光罩进行图案化,整个TFT基板的制作只需要3道光罩即可完成,且不需要采用氧化铟锡剥离技术,制作难度低,效率高。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 中国語 (ZH)
国際出願言語: 中国語 (ZH)