WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2018030311) 導電性C面GaN基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/030311    国際出願番号:    PCT/JP2017/028482
国際公開日: 15.02.2018 国際出願日: 04.08.2017
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 7/10 (2006.01), C30B 33/06 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP)
発明者: MIKAWA, Yutaka; (JP).
FUJISAWA, Hideo; (JP).
MOCHIZUKI, Tae; (JP).
NAMITA, Hideo; (JP).
KAWABATA, Shinichiro; (JP)
代理人: KAWAGUCHI, Yoshiyuki; (JP).
TAKATA, Daisuke; (JP).
SANUKI, Shinichi; (JP).
NIWA, Takeshi; (JP).
SHIMODA, Toshiaki; (JP)
優先権情報:
2016-155958 08.08.2016 JP
発明の名称: (EN) CONDUCTIVE C-PLANE GaN SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE GaN À PLAN C CONDUCTEUR
(JA) 導電性C面GaN基板
要約: front page image
(EN)A conductive C-plane GaN substrate can be preferably used for manufacturing a nitride semiconductor device or the like. This conductive C-plane GaN substrate has a resistivity of 2×10-2 Ωcm or less or an n-type carrier concentration of 1×1018 cm-3 or higher at room temperature. Furthermore, at least one first line segment, which is a virtual line segment having a length of 40 mm and which satisfies at least one of the following conditions (A1) and (B1), can be drawn on at least one main surface of said substrate. (A1) When the XRC of (004) reflection is measured at intervals of 1 mm with the X-ray incidence plane parallel to the first line segment for each ω scan, the maximum FWHM value of the XRC amongst all measurement points on the first line segment is less than 30 arcsec. (B1) When the XRC of (004) reflection is measured at intervals of 1 mm with the X-ray incidence plane parallel to the first line segment for each ω scan, the difference between the maximum value and the minimum value of the peak angle of the XRC amongst all measurement points on the first line segment is less than 0.2°.
(FR)La présente invention concerne un substrat de GaN à plan C conducteur pouvant être utilisé de préférence pour fabriquer un dispositif à semi-conducteur au nitrure ou autre. Ce substrat de GaN à plan C conducteur possède une résistivité de 2×10-2 Ωcm ou moins ou une concentration de porteurs de type n de 1×1018 cm-3 ou plus à température ambiante. En outre, au moins un premier segment de ligne, qui est un segment de ligne virtuel ayant une longueur de 40 mm et qui satisfait au moins l'une des conditions (A1) et (B1) suivantes, peut être dessiné sur au moins une surface principale dudit substrat. (A1) lorsque la XRC de réflexion (004) est mesurée à des intervalles de 1 mm, le plan d'incidence des rayons X étant parallèle au premier segment de ligne pour chaque balayage ω, la valeur maximale FWHM de la XRC parmi tous les points de mesure sur le premier segment de ligne est inférieure à 30 arcsec. (B1) lorsque la XRC de réflexion (004) est mesurée à des intervalles de 1 mm, le plan d'incidence des rayons X étant parallèle au premier segment de ligne pour chaque balayage ω, la différence entre la valeur maximale et la valeur minimale de l'angle de pic de la XRC parmi tous les points de mesure sur le premier segment de ligne est inférieure à 0,2 °.
(JA)室温において、抵抗率が2×10-2Ωcm以下またはn型キャリア濃度が1×1018cm-3以上であり、更に、少なくとも一方の主表面上に、下記条件(A1)および(B1)の少なくとも一方を充たす長さ40mmの仮想的な線分である第一線分を少なくともひとつ引き得る、導電性C面GaN基板が窒化物半導体デバイスの製造等に好ましく用い得る。 (A1)当該第一線分上において、各ωスキャンの際のX線入射面を当該第一線分と平行にして(004)反射のXRCを1mm間隔で測定したとき、全測定点間でのXRCのFWHMの最大値が30arcsec未満である; (B1)当該第一線分上において、各ωスキャンの際のX線入射面を当該第一線分と平行にして(004)反射のXRCを1mm間隔で測定したとき、全測定点間でのXRCのピーク角度の最大値と最小値との差が0.2°未満である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)