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1. (WO2018030254) 化学機械研磨後の基板洗浄技術
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翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:
WO/2018/030254
国際出願番号:
PCT/JP2017/028180
国際公開日:
15.02.2018
国際出願日:
03.08.2017
IPC:
H01L 21/304
(2006.01),
B24B 37/00
(2012.01)
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B
処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
出願人:
EBARA CORPORATION
[JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho, Ohta-ku, Tokyo 1448510 (JP)
発明者:
FUKUNAGA Akira
; (JP).
SHIMA Shohei
; (JP).
WADA Yutaka
; (JP)
代理人:
OHNO Seiji
; (JP).
MATSUNO Tomohiro
; (JP)
優先権情報:
2016-157665
10.08.2016
JP
発明の名称:
(EN)
TECHNIQUE FOR SUBSTRATE WASHING AFTER CHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATION
(FR)
TECHNIQUE DE LAVAGE DE SUBSTRATS APRÈS PLANARISATION CHIMICO-MÉCANIQUE
(JA)
化学機械研磨後の基板洗浄技術
要約:
(EN)
Disclosed is a method for washing a substrate using a washing liquid containing at least any one of the following (A), (B) and (C) after chemical-mechanical planarization of the substrate: (A) a reducing agent having the ability to donate electrons to a metal on the substrate; (B) a deoxidizer for reducing soluble oxygen; and(C) an anti-corrosive agent. Moreover, disclosed are a method for producing a semiconductor device using the foregoing method, a substrate treatment device, and the washing liquid used thereby.
(FR)
L'invention concerne un procédé de lavage d'un substrat à l'aide d'un liquide de lavage contenant au moins l'un quelconque des éléments suivants (A), (B) et (C) après la planarisation chimico-mécanique du substrat : (A) un agent réducteur ayant la capacité de donner des électrons à un métal sur le substrat; (B) un oxydant pour réduire l'oxygène soluble; et (C) agent anti-corrosif. En outre, l'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur utilisant le procédé susmentionné, un dispositif de traitement de substrat et le liquide de lavage utilisé par ce procédé.
(JA)
基板を化学機械研磨した後、以下の(A)、(B)および(C)の少なくともいずれか一つを含有する洗浄液で基板を洗浄する、方法を開示する。(A)基板上の金属に対して電子供与性を有する還元剤。(B)溶存酸素を還元する脱酸素剤。(C)防食剤。また、かかる方法を用いた半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびこれらに用いる洗浄液を開示する。
指定国:
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語:
Japanese (
JA
)
国際出願言語:
Japanese (
JA
)