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1. (WO2018030236) 付着物除去方法
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国際公開番号: WO/2018/030236 国際出願番号: PCT/JP2017/028071
国際公開日: 15.02.2018 国際出願日: 02.08.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,B24C 1/08 (2006.01) ,B24C 11/00 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
C
粒状物質を用いた研削性のまたはこれに類以のブラスト加工
1
特殊な効果を生ぜしめるために砥粒の吹き付けを用いる方法;そのような方法に関係ある補助装置の使用方法
08
つやのある表面を作るための方法,例.液体と混合した砥粒を用いることによる方法
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
C
粒状物質を用いた研削性のまたはこれに類以のブラスト加工
11
砥粒の吹き付けのための砥材の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
出願人:
新東工業株式会社 SINTOKOGIO, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市中村区名駅三丁目28番12号 28-12, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4506424, JP
発明者:
西嶋 仁 NISHIJIMA Hitoshi; JP
澁谷 紀仁 SHIBUYA Norihito; JP
代理人:
田中 伸一郎 TANAKA Shinichiro; JP
弟子丸 健 DESHIMARU Takeshi; JP
▲吉▼田 和彦 YOSHIDA Kazuhiko; JP
松下 満 MATSUSHITA Mitsuru; JP
倉澤 伊知郎 KURASAWA Ichiro; JP
山本 泰史 YAMAMOTO Yasufumi; JP
優先権情報:
2016-15624509.08.2016JP
2017-05221917.03.2017JP
2017-05222017.03.2017JP
発明の名称: (EN) DEPOSIT REMOVING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE RETRAIT DE DÉPÔTS
(JA) 付着物除去方法
要約:
(EN) Provided is a method for efficiently removing deposits including hard deposits adhered to a jig in a film-forming process using crystal growth while suppressing the damage to the jig. This deposit removing method includes: a step of preparing a spray material having a lower hardness than the jig; a step of spraying the spray material toward the jig; and a step of forming a breaking start point at a crystal grain boundary of the deposit when the spray material collides with the jig, and detaching the deposit from the crystal grain boundary by allowing the spray material to further collide with the jig.
(FR) L'invention concerne un procédé de retrait efficace de dépôts incluant des dépôts durs collés à un bâti dans un processus de formation de pellicule utilisant la croissance de cristaux tout en évitant d'endommager le bâti. Ce procédé de retrait de dépôts consiste : en une étape de préparation d'un matériau de pulvérisation dont la dureté est inférieure à celle du bâti; en une étape de pulvérisation du matériau de pulvérisation vers le bâti; et en une étape de formation d'un point de départ de rupture à une limite de grains de cristaux du dépôt lorsque le matériau de pulvérisation entre en collision avec le bâti, et de détachement du dépôt de la limite de grains de cristaux en permettant au matériau de pulvérisation d'entrer encore en collision avec le bâti.
(JA) 結晶成長による成膜プロセスにおいて治具に付着する付着物を、治具の損傷を低減し、効率よく硬質の付着物の除去する方法を提供する。 この付着物除去方法は、前記治具より硬度が低い噴射材を用意する工程と、前記噴射材を前記治具に向けて噴射する工程と、前記噴射材が前記治具に衝突したときに前記付着物の結晶粒界で破壊の起点を形成し、前記噴射材をさらに衝突させて前記付着物を結晶粒界で脱離させる工程と、を含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)