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1. (WO2018030165) 半導体モジュールおよびその生産方法
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国際公開番号: WO/2018/030165 国際出願番号: PCT/JP2017/027238
国際公開日: 15.02.2018 国際出願日: 27.07.2017
IPC:
H01L 23/12 (2006.01) ,B23K 20/12 (2006.01) ,C04B 37/02 (2006.01) ,H01L 23/13 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
20
加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法
12
熱が摩擦により発生されるもの;摩擦接合
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
37
焼成セラミック物品と他の焼成セラミック物品または他の物品との加熱による接合
02
金属物品との
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
13
形状に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP
発明者:
井口 知洋 IGUCHI, Tomohiro; JP
冨岡 泰造 TOMIOKA, Taizo; JP
代理人:
日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko; JP
優先権情報:
2016-15744310.08.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体モジュールおよびその生産方法
要約:
(EN) This semiconductor module includes a semiconductor element, a metal base, a substrate, and a metal layer. The metal base has a stirring unit. The substrate is positioned between the semiconductor element and the metal base. The metal layer is in contact with the stirring unit, and is positioned between the metal base and the substrate.
(FR) Ce module semi-conducteur comprend un élément semi-conducteur, une base métallique, un substrat et une couche métallique. La base métallique comporte une unité d'agitation. Le substrat est positionné entre l'élément semi-conducteur et la base métallique. La couche métallique est en contact avec l'unité d'agitation, et est positionnée entre la base métallique et le substrat.
(JA) 実施形態の半導体モジュールは、半導体素子と、金属ベースと、基板と、金属層と、を含む。前記金属ベースは、攪拌部を有する。前記基板は、前記半導体素子と前記金属ベースとの間に位置する。前記金属層は、前記攪拌部と接し、前記金属ベースと前記基板との間に位置する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)