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1. (WO2018029951) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/029951    国際出願番号:    PCT/JP2017/020604
国際公開日: 15.02.2018 国際出願日: 02.06.2017
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: FURUHASHI Masayuki; (JP).
EBIHARA Kohei; (JP)
代理人: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP).
ARITA Takahiro; (JP)
優先権情報:
2016-155446 08.08.2016 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)The present invention relates to a semiconductor device and comprises a semiconductor substrate and a semiconductor layer arranged thereon. The semiconductor layer has a first conductivity type first pillar layer and a second conductivity type second pillar layer provided so as to extend from the main surface of the semiconductor layer opposite the semiconductor substrate toward the semiconductor substrate to a predetermined depth. The first and second pillar layers are alternately arranged in a direction parallel to the main surface in an active region of the semiconductor layer and a termination region surrounding the active region. The pillar pitch defined by the total width of one group of the first and second pillar layers in the termination region is greater than the pillar pitch defined by the total width of one group of the first and second pillar layers in the active region. The effective impurity concentrations of the first and second conductivity type impurities within the pillar pitches are equal in the active region and termination region.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et comprend un substrat semi-conducteur et une couche semi-conductrice disposée sur celui-ci. La couche semi-conductrice a une première couche de pilier de premier type de conductivité et une seconde couche de pilier de second type de conductivité disposée de façon à s'étendre de la surface principale de la couche semi-conductrice à l'opposé du substrat de semi-conducteur vers le substrat de semi-conducteur à une profondeur prédéterminée. Les première et seconde couches de pilier sont disposées en alternance dans une direction parallèle à la surface principale dans une région active de la couche semi-conductrice et une région de terminaison entourant la région active. Le pas de pilier défini par la largeur totale d'un groupe des première et seconde couches de pilier dans la région de terminaison est supérieur au pas de pilier défini par la largeur totale d'un groupe des première et seconde couches de pilier dans la région active. Les concentrations d'impuretés effectives des impuretés du premier et du second type de conductivité à l'intérieur des pas de pilier sont égales dans la région active et la région de terminaison.
(JA)本発明は半導体装置に関し、半導体基板と、その上に配設された半導体層とを備え、半導体層は、半導体基板とは反対側の主面から、半導体基板に向けて予め定めた深さまで延在するように設けられた第1導電型の第1のピラー層および第2導電型の第2のピラー層を有し、第1および第2のピラー層は半導体層の活性領域および活性領域の周囲の領域である終端領域において、主面に対して平行な方向に交互に設けられ、活性領域における第1および第2のピラー層の1組の合計幅で規定されるピラーピッチに比べ、終端領域における第1および第2のピラー層の1組の合計幅で規定されるピラーピッチが大きく設定され、活性領域および終端領域のいずれにおいてもピラーピッチ内における第1および第2導電型の不純物の実効的な不純物濃度が等しい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)