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1. (WO2018029801) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/029801    International Application No.:    PCT/JP2016/073549
Publication Date: Fri Feb 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Aug 11 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 25/07
H01L 23/12
H01L 25/18
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: HAYASHIDA, Yukimasa
林田 幸昌
TSUDA, Ryo
津田 亮
DATE, Ryutaro
伊達 龍太郎
Title: 半導体装置
Abstract:
絶縁基板(1)上に第1及び第2の回路パターン(5,6)が設けられている。第1の回路パターン(5)上に第1及び第2の半導体チップ(7,8)が設けられている。絶縁基板(1)上において、第1の半導体チップ(7)と第2の半導体チップ(8)の間に中継回路パターン(10)が設けられている。一方向に順に並べられた第1の半導体チップ(7)、中継回路パターン(10)、第2の半導体チップ(8)及び第2の回路パターン(6)にワイヤ(11)が連続して接続されている。