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1. (WO2018025805) 半導体発光素子及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/025805    International Application No.:    PCT/JP2017/027708
Publication Date: Fri Feb 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Aug 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 33/10
H01L 33/22
H01L 33/32
Applicants: STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
スタンレー電気株式会社
Inventors: TAMARI, Naoki
溜 直樹
Title: 半導体発光素子及びその製造方法
Abstract:
支持基板上に、n型半導体層、発光層、p型クラッド層、p型コンタクト層がこの順で積層されたIII-V族窒化物半導体層を有し、n型半導体層上にn型電極が、p型コンタクト層上にp型電極を有し、支持基板におけるn型半導体層の積層面の反対側の面の少なくとも一部に凹凸構造を有する紫外発光素子であって、紫外発光素子の半導体層側を上面視した場合において、紫外発光素子の面積におけるn型半導体層の露出面積が、20%以上90%以下であり、且つ、残部の面積におけるp型コンタクト層及びp型電極の露出面積が5%以上、50%以下であることを特徴とする紫外発光素子を提供する。