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1. (WO2018025691) 整流素子及び該整流素子を有するスイッチング素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/025691 国際出願番号: PCT/JP2017/026709
国際公開日: 08.02.2018 国際出願日: 24.07.2017
IPC:
H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/88 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01) ,H01L 49/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
328
バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程
329
装置が1つまたは2つの電極からなるもの,例.ダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
88
トンネル効果ダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45
電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49
27/00~47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49
27/00~47/00および51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
薄膜または厚膜装置
出願人: NEC CORPORATION[JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
発明者: BANNO Naoki; JP
TADA Munehiro; JP
IGUCHI Noriyuki; JP
代理人: MIYAZAKI Teruo; JP
OGATA Masaaki; JP
優先権情報:
2016-15393004.08.2016JP
発明の名称: (EN) RECTIFIER ELEMENT, AND SWITCHING ELEMENT HAVING SAID RECTIFIER ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT REDRESSEUR ET ÉLÉMENT DE COMMUTATION DOTÉ DE CET ÉLÉMENT REDRESSEUR
(JA) 整流素子及び該整流素子を有するスイッチング素子
要約:
(EN) Provided is a rectifier element for preventing incorrect writing and incorrect operation, and for replacing a select transistor. A semiconductor device on which the rectifier element is mounted, which has excellent reliability, and which is re-writable using a non-volatile switch having low surface area and low power consumption, is characterized by being provided with a multilayer structure comprising a first electrode 11, a first buffer layer 14, a rectification layer 13, a second buffer layer 15, and a second electrode 12, the rectification layer 13 being constituted by a first silicon nitride layer 16 having a high nitrogen content (50 at% or more), and second silicon nitride layers 17 having a lower nitrogen content than the first silicon nitride layer 16 (50 at% or less), the second silicon nitride layers 17 being in contact with the first and second buffer layers (14, 15), and the first silicon nitride layer 16 being sandwiched between the second silicon nitride layers 17.
(FR) L'invention porte sur un élément redresseur pour empêcher une écriture incorrecte et une opération incorrecte, et pour remplacer un transistor de sélection. Un dispositif semi-conducteur sur lequel est monté l'élément redresseur qui présente une excellente fiabilité, et qui est réinscriptible à l'aide d'un commutateur non volatil ayant une faible zone de surface et une faible consommation d'énergie, est caractérisé en ce qu'il est pourvu d'une structure multicouche comprenant une première électrode 11, une première couche tampon 14, une couche de rectification 13, une seconde couche tampon 15 et une seconde électrode 12, la couche de rectification 13 étant constituée d'une première couche de nitrure de silicium 16 ayant une teneur élevée en azote (50 % atomique ou plus), et des secondes couches de nitrure de silicium 17 ayant une teneur en azote inférieure à celle de la première couche de nitrure de silicium 16 (50 % atomique ou moins), les secondes couches de nitrure de silicium 17 étant en contact avec les première et seconde couches tampon (14, 15), et la première couche de nitrure de silicium 16 étant prise en sandwich entre les secondes couches de nitrure de silicium 17.
(JA) 誤書き込み及び誤動作を防止し、セレクトトランジスタを代替する整流素子を提供し、該整流素子を搭載した、信頼性に優れ、低面積かつ低消費電力を有する不揮発スイッチを用いた書き換え可能な半導体装置は、第一電極11、第一バッファ層14、整流層13、第二バッファ層15及び第二電極12の積層構造を備え、整流層13は窒素含有率が高い(50原子%以上)第一窒化シリコン層16と、窒素含有率が第一窒化シリコン層16より低い(50原子%以下)第二窒化シリコン層17で構成されており、第一及び第二バッファ層(14,15)に第二窒化シリコン層17が接し、第二窒化シリコン層17の間に第一窒化シリコン層16が挟まれていることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)