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1. (WO2018025647) 半導体装置、pHセンサ、バイオセンサ、及び半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/025647    International Application No.:    PCT/JP2017/026223
Publication Date: Fri Feb 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jul 21 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/786
G01N 27/414
Applicants: NIKON CORPORATION
株式会社ニコン
Inventors: NAKAZUMI Makoto
中積 誠
NISHI Yasutaka
西 康孝
Title: 半導体装置、pHセンサ、バイオセンサ、及び半導体装置の製造方法
Abstract:
第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極とに接する半導体層と、を有し、半導体層は、亜鉛(Zn)とガリウム(Ga)とを含むスピネル型の酸化物であることを特徴とする半導体装置の提供。