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1. (WO2018025571) パワー半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/025571    International Application No.:    PCT/JP2017/024840
Publication Date: Fri Feb 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jul 07 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/52
H01L 21/60
H01L 23/48
H01L 25/07
H01L 25/18
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: SODA, Shinnosuke
曽田 真之介
YOKOYAMA, Yoshinori
横山 吉典
KOBAYASHI, Hiroshi
小林 浩
Title: パワー半導体装置
Abstract:
パワー半導体素子の動作可能温度が十分に高められた場合においても、高い信頼性を有しているパワー半導体装置を提供する。第1面(1A)上に形成されている電極(2)を含むパワー半導体素子(1)と、電極(2)と第1接合部(5)を介して接続されている第1応力緩和部(6)と、第1応力緩和部(6)と第2接合部(7)を介して電気的に接続されている配線部(8)とを備える。第1接合部(5)の接合強度は、第2接合部(7)の接合強度と比べて高い。