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1. (WO2018025403) 半導体コンデンサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

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国際公開番号:    WO/2018/025403    国際出願番号:    PCT/JP2016/073116
国際公開日: 08.02.2018 国際出願日: 05.08.2016
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: NISSAN MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 2, Takaracho, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2210023 (JP)
発明者: HAYAMI, Yasuaki; (JP).
HAYASHI, Tetsuya; (JP).
ZUSHI, Yusuke; (JP).
NI, Wei; (JP).
OKUBO, Akinori; (JP)
代理人: CREO LAW & INTELLECTUAL PROPERTY; Tokyo Tatemono Yaesu Bldg. 2F, 4-16, Yaesu 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030028 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体コンデンサ
要約: front page image
(EN)The present invention makes it possible to support various requirements with a circuit comprising a semiconductor substrate. The present invention is provided with a semiconductor substrate (2A), an electrode group (4) formed on the semiconductor substrate (2A), and an insulator (2B), and a plurality of capacitors (C1-C3) are formed. The plurality of capacitors (C1-C3) has a structure in which the insulator (2B) is sandwiched between the electrode groups (4). The plurality of capacitors (C1-C3) is set such that durability and/or conductance differs, durability being the capability to withstand the voltage specified by the capacitors (C1-C3), and conductance being the ease with which leak current flows in the capacitors (C1-C3).
(FR)La présente invention permet de supporter diverses exigences avec un circuit comprenant un substrat semi-conducteur. La présente invention comporte un substrat semi-conducteur (2A), un groupe d'électrodes (4) formé sur le substrat semi-conducteur (2A), et un isolant (2B), et une pluralité de condensateurs (C1-C3) sont formés. La pluralité de condensateurs (C1-C3) a une structure dans laquelle l'isolant (2B) est pris en sandwich entre les groupes d'électrodes (4). La pluralité de condensateurs (C1-C3) est configurée de telle sorte que la durabilité et/ou la conductance diffèrent, la durabilité étant la capacité de résister à la tension spécifiée par les condensateurs (C1-C3), et la conductance étant la facilité avec laquelle le courant de fuite circule dans les condensateurs (C1-C3).
(JA)半導体基板からなる回路で多様な要求に対応できること。 半導体基板(2A)と、半導体基板(2A)に形成された電極群(4)と、絶縁物(2B)と、を備え、複数のコンデンサ(C1~C3)が形成される。複数のコンデンサ(C1~C3)は、電極群(4)それぞれの間に絶縁物(2B)が挟まれた構造を有する。複数のコンデンサ(C1~C3)は、コンデンサ(C1~C3)が規定の電圧に耐える能力である耐性と、コンデンサ(C1~C3)におけるリーク電流の流れ易さであるコンダクタンスとのうち、少なくとも一方が異なる設定とされる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)