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1. (WO2018021575) 炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体基板の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/021575    国際出願番号:    PCT/JP2017/027579
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 28.07.2017
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01), C30B 33/04 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: TAWARA, Takeshi; (JP).
TSUCHIDA, Hidekazu; (JP).
MIYAZAWA, Tetsuya; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; (JP)
優先権情報:
2016-150853 29.07.2016 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD FOR SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 炭化珪素半導体基板、炭化珪素半導体基板の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)This silicon carbide semiconductor substrate includes: a silicon carbide substrate (1) of a first conductor type, which comprises a central part and an outer peripheral part covering an area of a prescribed width w from the edge; a buffer layer (2) of the first conductor type, which is provided on the obverse surface of the central part of the silicon carbide substrate (1), and which is added with a second impurity different from a first impurity that determines the conductor type of the silicon carbide substrate (1) and that is included at a concentration of not less than 1.0×1018/cm3; and an epitaxial layer (4) of the first conductor type, which is disposed on the obverse surface of the outer peripheral part of the silicon carbide substrate (1), and in which the concentration of the first impurity is lower than that in the buffer layer (2). According to this configuration, even when a buffer layer having an impurity concentration equal to or higher than a substrate is formed on the substrate, it is possible to prevent a lifetime killer from spreading in an element manufacturing process and also to prevent a stacking failure to occur at the edge of the substrate.
(FR)Ce substrat semi-conducteur en carbure de silicium comprend : un substrat en carbure de silicium (1) d'un premier type de conducteur, qui comprend une partie centrale et une partie périphérique externe couvrant une zone d'une largeur prédéterminée w à partir du bord; une couche tampon (2) du premier type de conducteur, qui est disposé sur la surface recto de la partie centrale du substrat en carbure de silicium (1), et qui est ajoutée avec une seconde impureté différente d'une première impureté qui détermine le type de conducteur du substrat en carbure de silicium (1) et qui est comprise à une concentration qui n'est pas inférieure à 1,0 × 10 18 /cm 3; et une couche épitaxiale (4) du premier type de conducteur, qui est disposé sur la surface recto de la partie périphérique externe du substrat en carbure de silicium (1), et dans lequel la concentration de la première impureté est inférieure à celle de la couche tampon (2). Selon cette configuration, même lorsqu'une couche tampon ayant une concentration d'impuretés égale ou supérieure à un substrat est formée sur le substrat, il est possible d'empêcher un tueur de durée de vie de s'étaler dans un processus de fabrication d'éléments et également d'empêcher une défaillance d'empilement de se produire au niveau du bord du substrat.
(JA)炭化珪素半導体基板は、端部から所定の幅wまでの外周部と中央部とからなる第1導電型の炭化珪素基板(1)と、前記炭化珪素基板(1)の前記中央部のおもて面に設けられ、前記炭化珪素基板(1)の導電型を決める第1の不純物と異なる第2の不純物が添加された、前記第1の不純物の濃度が1.0×1018/cm3以上の第1導電型のバッファ層(2)と、前記炭化珪素基板(1)の前記外周部のおもて面に設けられた、前記第1の不純物の濃度が前記バッファ層(2)の濃度より低い第1導電型のエピタキシャル層(4)とを含む。このようにすることで、基板と同程度以上の不純物濃度のバッファ層を基板上に成膜した場合でも、素子製造工程内にライフタイムキラーが拡散すること、および、基板端部から積層欠陥が発生することを防止する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)