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1. (WO2018021411) 光検出装置
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国際公開番号: WO/2018/021411 国際出願番号: PCT/JP2017/027055
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 26.07.2017
IPC:
H01L 31/107 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101
赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102
唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107
電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
石田 篤司 ISHIDA Atsushi; JP
永野 輝昌 NAGANO Terumasa; JP
馬場 隆 BABA Takashi; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2016-14738027.07.2016JP
発明の名称: (EN) LIGHT DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE LUMIÈRE
(JA) 光検出装置
要約:
(EN) This light detection device comprises: a semiconductor substrate; a plurality of avalanche photodiodes arranged in a matrix on the semiconductor substrate and each having a light reception region; and a plurality of through electrodes each electrically connected to corresponding light reception regions. The through electrode is arranged in each region surrounded by four adjacent avalanche photodiodes among the plurality of avalanche photodiodes. As viewed from a direction orthogonal to a first principal surface of the semiconductor substrate, each light reception region has a polygonal shape including: a pair of first sides that oppose one another in the row direction and extend in the column direction; and four second sides that respectively oppose the four through electrodes surrounding the light reception region, and that each extend in a direction intersecting with the row direction and the column direction. The length of the first side is shorter than the length of the second side.
(FR) Ce dispositif de détection de lumière comprend : un substrat semi-conducteur; une pluralité de photodiodes à avalanche disposées dans une matrice sur le substrat semi-conducteur et ayant chacune une région de réception de lumière; et une pluralité d'électrodes traversantes connectées électriquement chacune à des régions de réception de lumière correspondantes. L'électrode traversante est disposée dans chaque région entourée par quatre photodiodes à avalanche adjacentes parmi la pluralité de photodiodes à avalanche. Vu depuis une direction orthogonale à une première surface principale du substrat semi-conducteur, chaque région de réception de lumière a une forme polygonale comprenant: une paire de premiers côtés qui sont opposés l'un à l'autre dans la direction de la rangée et qui s'étendent dans la direction de la colonne; et quatre seconds côtés qui s'opposent respectivement aux quatre électrodes traversantes entourant la région de réception de lumière, et qui s'étendent chacun dans une direction croisant la direction de rangée et la direction de colonne. La longueur du premier côté est plus courte que celle du second coté.
(JA) 光検出装置は、半導体基板と、受光領域を有していると共に半導体基板に行列状に配列されている複数のアバランシェフォトダイオードと、対応する受光領域と電気的に接続されている複数の貫通電極と、を備えている。複数の貫通電極は、複数のアバランシェフォトダイオードのうち互いに隣り合う四つのアバランシェフォトダイオードで囲まれる領域毎に配置されている。各受光領域は、半導体基板の第一主面に直交する方向から見て、行方向で互いに対向し、かつ、列方向に延在している一対の第一辺と、受光領域を囲う四つの貫通電極と対向し、かつ、行方向及び列方向に交差する方向にそれぞれ延在している四つの第二辺と、を含む多角形形状を呈している。第一辺の長さは、第二辺の長さよりも短い。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)