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1. (WO2018021322) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/021322    国際出願番号:    PCT/JP2017/026893
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 25.07.2017
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: FUJINO, Junji; (JP).
IMOTO, Yuji; (JP).
OGAWA, Shohei; (JP).
ISHIHARA, Mikio; (JP)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2016-145992 26.07.2016 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)The present invention comprises: semiconductor elements (21, 22) having a surface electrode; an electrode plate (63) which has a larger area than the surface electrode of the semiconductor elements (21, 22) when observed in plan view, and which is formed of aluminum or an aluminum alloy; and metal members (61, 62) which include a bonded surface bonded to the surface electrode of the semiconductor elements (21, 22) by solder (31, 32), which has a smaller area than the surface electrode of the semiconductor elements (21, 22) when observed in plan view, which is formed of a metal that is different from that of the electrode plate (63), which is fixed to the electrode plate (63), and which electrically connects the surface electrode of the semiconductor elements (21, 22) to the electrode plate (63).
(FR)La présente invention comprend : des éléments semi-conducteurs (21, 22) comportant une électrode de surface; une plaque d'électrode (63) dont l'aire est supérieure à celle de l'électrode de surface des éléments semi-conducteurs (21, 22) lorsqu'on l'observe en vue planaire, et qui est constituée d'aluminium ou d'un alliage d'aluminium; et des organes en métal (61, 62) qui incluent une surface soudée qui est soudée à l'électrode de surface des éléments semi-conducteurs (21, 22) par brasure (31, 32), dont l'aire est inférieure à celle de l'électrode de surface des éléments semi-conducteurs (21, 22) lorsqu'on l'observe en vue planaire, qui est constituée d'un métal qui est différent de celui de la plaque d'électrode (63), qui est fixée à la plaque d'électrode (63), et qui connecte électriquement l'électrode de surface des éléments semi-conducteurs (21, 22) à la plaque d'électrode (63).
(JA)表面電極を有する半導体素子(21、22)と、平面視で半導体素子(21、22)の表面電極より面積が大きく、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる電極板(63)と、半導体素子(21、22)の表面電極にはんだ(31、32)で接合された接合面を有し、平面視で半導体素子(21、22)の表面電極より面積が小さく、電極板(63)とは異なる金属からなり、電極板(63)に固着され、半導体素子(21、22)の表面電極と電極板(63)とを電気的に接続した金属部材(61、62)と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)