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1. (WO2018021145) 半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/021145    International Application No.:    PCT/JP2017/026294
Publication Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jul 21 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/304
C09J 7/02
C09J 11/02
C09J 199/00
Applicants: MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
三井化学東セロ株式会社
Inventors: KURIHARA Hiroyoshi
栗原 宏嘉
Title: 半導体装置の製造方法
Abstract:
本発明の半導体装置の製造方法は、以下の3つの工程を少なくとも備えている。(A)回路形成面を有する半導体ウェハと、上記半導体ウェハの上記回路形成面側に貼り合わされた粘着性フィルム(100)と、を備える構造体を準備する工程。(B)上記半導体ウェハの上記回路形成面側とは反対側の面をバックグラインドする工程。(C)粘着性フィルム(100)に紫外線を照射した後に上記半導体ウェハから粘着性フィルム(100)を除去する工程。そして、粘着性フィルム(100)として、基材層(10)と、帯電防止層(30)と、導電性添加剤を含む粘着性樹脂層(40)と、をこの順番に備え、粘着性樹脂層(40)が上記半導体ウェハの上記回路形成面側となるように用いる粘着性フィルムを使用する。