このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018021127) 受光素子及び近赤外光検出器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/021127 国際出願番号: PCT/JP2017/026191
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 20.07.2017
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101
赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102
唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107
電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
出願人:
コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番2号 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
国立大学法人東京大学 THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 東京都文京区本郷七丁目3番1号 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654, JP
発明者:
竹内 裕一 TAKEUCHI, Yuichi; JP
波多野 卓史 HATANO, Takuji; JP
石川 靖彦 ISHIKAWA, Yasuhiko; JP
代理人:
特許業務法人光陽国際特許事務所 KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 東京都千代田区有楽町一丁目1番3号 東京宝塚ビル17階 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
優先権情報:
2016-14657826.07.2016JP
発明の名称: (EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND NEAR INFRARED LIGHT DETECTOR
(FR) ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE ET DÉTECTEUR DE LUMIÈRE PROCHE INFRAROUGE
(JA) 受光素子及び近赤外光検出器
要約:
(EN) The present invention addresses the issue of providing: a light-receiving element that has an absorption layer of germanium (Ge), is capable of efficiently receiving near infrared light having a large light-reception sensitivity in the absorption layer, from a free space, and has high productivity and low production costs; and a near infrared light detector comprising said light-receiving element. This light-receiving element 10 has, laminated in order upon a substrate 20, an amplification layer 30 containing silicon (Si) and an absorption layer 40 containing germanium (Ge). The amplification layer 30 has, in order upon the substrate 20, at least an n-doped n-Si layer 31 and a p-doped p-Si layer 33. The absorption layer 40 has at least a p-doped p-Ge layer 42 and the layer thickness L of the absorption layer 40 fulfils formula (1). Formula (1): L < (ln 0.8)/α [α indicates the absorption coefficient for germanium (Ge) at the wavelength of the light to be received.]
(FR) La présente invention a pour objet de fournir : un élément récepteur de lumière qui a une couche d'absorption de germanium (Ge), est capable de recevoir efficacement une lumière proche infrarouge ayant une grande sensibilité de réception de lumière dans la couche d'absorption, à partir d'un espace libre, et a une productivité élevée et de faibles coûts de production ; et un détecteur de lumière proche infrarouge comprenant ledit élément récepteur de lumière. Cet élément récepteur de lumière 10 présente, stratifiées dans l'ordre sur un substrat 20, une couche d'amplification 30 contenant du silicium (Si) et une couche d'absorption 40 contenant du germanium (Ge). La couche d'amplification 30 comporte, dans l'ordre sur le substrat 20, au moins une couche n-Si dopée n 31 et une couche p-Si dopée p 33. La couche d'absorption 40 a au moins une couche p-Ge dopée p 42 et l'épaisseur de couche L de la couche d'absorption 40 satisfait à la formule (1). Formule (1) : L < (ln 0,8)/α [α représente le coefficient d'absorption du germanium (Ge) à la longueur d'onde de la lumière à recevoir.]
(JA) 本発明の課題は、ゲルマニウム(Ge)の吸収層を有し、当該吸収層において受光感度の大きな近赤外光を自由空間から効率的に受光でき、生産性が高く、かつ製造コストの低い受光素子、及び当該受光素子を備えた近赤外光検出器を提供することである。本発明の受光素子10は、基板20上に、シリコン(Si)を含有する増幅層30、ゲルマニウム(Ge)を含有する吸収層40がこの順に積層されており、増幅層30が、n型にドープされたn-Si層31と、p型にドープされたp-Si層33とを基板20上に少なくともこの順に有しており、吸収層40が、p型にドープされたp-Ge層42を少なくとも有し、吸収層40の層厚Lが、下記式(1)を満たす。 式(1):L<(ln0.8)/α 〔αは、受光対象とする光の波長におけるゲルマニウム(Ge)の吸収係数を表す。〕
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)