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1. (WO2018021126) 受光素子及び近赤外光検出器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/021126 国際出願番号: PCT/JP2017/026190
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 20.07.2017
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
出願人: KONICA MINOLTA, INC.[JP/JP]; 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
THE UNIVERSITY OF TOKYO[JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654, JP
発明者: TAKEUCHI, Yuichi; JP
HATANO, Takuji; JP
ISHIKAWA, Yasuhiko; JP
代理人: KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
優先権情報:
2016-14656526.07.2016JP
発明の名称: (EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND NEAR INFRARED LIGHT DETECTOR
(FR) ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE ET DÉTECTEUR DE LUMIÈRE PROCHE INFRAROUGE
(JA) 受光素子及び近赤外光検出器
要約: front page image
(EN) The present invention addresses the issue of providing: a light-receiving element that has an absorption layer of germanium (Ge), is capable of efficiently receiving near infrared light having a large light-reception sensitivity in the absorption layer, from a free space, and has high productivity and low production cost; and a near infrared light detector comprising said light-receiving element. This light-receiving element 10 has, laminated in order upon a substrate 20, an amplification layer 30 containing silicon (Si), an absorption layer 40 containing germanium (Ge), and an antireflection layer 50. The amplification layer 30 has, in order upon the substrate 20, at least an n-doped n-Si layer 31 and a p-doped p-Si layer 33. The absorption layer 40 has at least a p-doped p-Ge layer 42.
(FR) La présente invention a pour objet de fournir : un élément récepteur de lumière qui a une couche d'absorption de germanium (Ge), est capable de recevoir efficacement une lumière proche infrarouge ayant une grande sensibilité de réception de lumière dans la couche d'absorption, à partir d'un espace libre, et a une productivité élevée et un faible coût de production ; et un détecteur de lumière proche infrarouge comprenant ledit élément récepteur de lumière. Cet élément récepteur de lumière 10 présente, stratifiées dans l'ordre sur un substrat 20, une couche d'amplification 30 contenant du silicium (Si), une couche d'absorption 40 contenant du germanium (Ge) et une couche antireflet 50. La couche d'amplification 30 comporte, dans l'ordre sur le substrat 20, au moins une couche n-Si dopée n 31 et une couche p-Si dopée p 33. La couche d'absorption 40 comprend au moins une couche p-Ge dopée p 42.
(JA) 本発明の課題は、ゲルマニウム(Ge)の吸収層を有し、当該吸収層において受光感度の大きな近赤外光を自由空間から効率的に受光でき、生産性が高く、かつ製造コストの低い受光素子、及び当該受光素子を備えた近赤外光検出器を提供することである。本発明の受光素子10は、基板20上に、シリコン(Si)を含有する増幅層30、ゲルマニウム(Ge)を含有する吸収層40及び反射防止層50がこの順に積層されており、増幅層30が、n型にドープされたn-Si層31と、p型にドープされたp-Si層33とを基板20上に少なくともこの順に有しており、吸収層40が、p型にドープされたp-Ge層42を少なくとも有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)