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1. (WO2018021121) 不純物拡散組成物およびこれを用いた半導体素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/021121    国際出願番号:    PCT/JP2017/026150
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 19.07.2017
IPC:
H01L 21/225 (2006.01)
出願人: TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666 (JP)
発明者: KITADA, Tsuyoshi; (JP).
IKEGAMI, Yoshihiro; (JP).
ARAI, Nana; (JP)
代理人: SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
優先権情報:
2016-149356 29.07.2016 JP
発明の名称: (EN) IMPURITY DIFFUSION COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR ELEMENT PRODUCTION METHOD USING IMPURITY DIFFUSION COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE DIFFUSION D'IMPURETÉS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT LA COMPOSITION DE DIFFUSION D'IMPURETÉS
(JA) 不純物拡散組成物およびこれを用いた半導体素子の製造方法
要約: front page image
(EN)An impurity diffusion composition according to one embodiment is for diffusing a desired conductive impurity-diffused component into a semiconductor substrate. The impurity diffusion composition contains a polysiloxane (A) and an impurity-diffused component (B). The polysiloxane (A) contains a carboxyl group and/or a dicarboxylic acid anhydride structure. The impurity diffusion composition is for use in a semiconductor element production method and is particularly suitable for use in the production of solar cells.
(FR)La composition de diffusion d'impuretés selon un mode de réalisation est destinée à diffuser un composant de diffusion d'impuretés conductrices désiré dans un substrat semi-conducteur. La composition de diffusion d'impuretés contient un polysiloxane (A) et un composant de diffusion d'impuretés (B). Le polysiloxane (A) contient un groupe carboxyle et/ou une structure d'anhydride d'acide dicarboxylique. La composition de diffusion d'impuretés est destinée à être utilisée dans un procédé de production d'éléments semi-conducteurs et est particulièrement appropriée pour être utilisée dans la production de cellules solaires.
(JA)本発明の一態様である不純物拡散組成物は、半導体基板中に所望の導電型の不純物拡散成分を拡散させるための組成物であり、ポリシロキサン(A)と、不純物拡散成分(B)と、を含有する。このポリシロキサン(A)は、カルボキシル基およびジカルボン酸無水物構造のうち少なくとも一つを含有するポリシロキサンである。この不純物拡散組成物は、半導体素子の製造方法に用いられる。特に、この不純物拡散組成物は、太陽電池の製造に好適に用いられる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)