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1. (WO2018021117) 半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/021117    International Application No.:    PCT/JP2017/026143
Publication Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Jul 20 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/225
H01L 31/18
Applicants: TORAY INDUSTRIES, INC.
東レ株式会社
Inventors: KITADA, Tsuyoshi
北田 剛
SHIRASAWA, Nobuhiko
白沢 信彦
MURASE, Seiichiro
村瀬 清一郎
Title: 半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法
Abstract:
本発明の一態様である半導体素子の製造方法は、膜層形成工程と拡散工程とを含む。膜層形成工程では、半導体基板上に、不純物拡散成分を含有する組成物Aを用いてなる不純物拡散組成物膜であるA膜と、ポリシロキサンを含有する組成物Bを用いてなり、少なくともA膜からの不純物拡散成分の気中拡散を抑制する気中拡散抑制層であるB層と、を形成する。拡散工程では、A膜とB層とが形成された半導体基板を熱処理して、半導体基板中に不純物拡散成分を拡散させる。この半導体素子の製造方法は、太陽電池の製造方法に用いられる。