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World Intellectual Property Organization
1. (WO2018021061) 撮像ユニットおよび内視鏡
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国際公開番号:    WO/2018/021061    国際出願番号:    PCT/JP2017/025715
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 14.07.2017
A61B 1/04 (2006.01), A61B 1/05 (2006.01), G02B 23/24 (2006.01), G02B 23/26 (2006.01), H04N 7/18 (2006.01)
出願人: OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 2951, Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo 1928507 (JP)
発明者: KOBAYASHI, Hiroyuki; (JP).
MOTOHARA, Hiroyuki; (JP)
代理人: SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
2016-148853 28.07.2016 JP
(JA) 撮像ユニットおよび内視鏡
要約: front page image
(EN)Provided are an imaging unit and endoscope whereby a high-quality image can be obtained while reduced diameter of the imaging unit and endoscope is obtained. This imaging unit 10 is provided with: a semiconductor package 20 having an imaging element 21, a sensor electrode 23 being formed on a back surface of the semiconductor package 20; a circuit substrate 30 having a first connection electrode 31 and a second connection electrode 32, electronic components 35, 36 being built into the circuit substrate 30, and the first connection electrode 31 being connected to the sensor electrode 23; a heteromorphic circuit substrate 40 in which a third connection electrode 41 is formed on the surface thereof and cable connection electrodes 42a, 42b are formed on two opposing lateral surfaces thereof, the third connection electrode 41 being connected to the second connection electrode 32; and a cable 60 electrically and mechanically connected to the cable connection electrodes 42a, 42b; the imaging unit 10 characterized in that the heteromorphic circuit substrate 40 and the cable 60 are within a projected plane in the optical axis direction of the semiconductor package 20.
(FR)L'invention concerne une unité d'imagerie et un endoscope permettant d'obtenir une image de haute qualité tout en réduisant le diamètre de l'unité d'imagerie et de l'endoscope. Cette unité d'imagerie 10 comprend : un boîtier de semi-conducteur 20 ayant un élément d'imagerie 21, une électrode de capteur 23 étant formée sur une surface arrière du boîtier de semi-conducteur 20 ; un substrat de circuit 30 comportant une première électrode de connexion 31 et une deuxième électrode de connexion 32, des composants électroniques 35, 36 étant incorporés dans le substrat de circuit 30, et la première électrode de connexion 31 étant connectée à l'électrode de capteur 23 ; un substrat de circuit hétéromorphe 40 dans lequel une troisième électrode de connexion 41 est formée sur la surface de celui-ci et des électrodes de connexion de câble 42a, 42b sont formées sur deux surfaces latérales opposées de celle-ci, la troisième électrode de connexion 41 étant connectée à la deuxième électrode de connexion 32 ; et un câble 60 connecté électriquement et mécaniquement aux électrodes de connexion de câble 42a, 42b ; l'unité d'imagerie 10 est caractérisée en ce que le substrat de circuit hétéromorphe 40 et le câble 60 sont dans un plan projeté dans la direction de l'axe optique du boîtier de semi-conducteur 20.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)