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1. (WO2018020849) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/020849    International Application No.:    PCT/JP2017/021316
Publication Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jun 09 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/872
H01L 21/329
H01L 29/06
H01L 29/47
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: YUDA Yohei
湯田 洋平
WATAHIKI Tatsuro
綿引 達郎
Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
n型酸化物半導体に終端構造としてp型酸化物半導体を設けても、p型酸化物半導体がn型酸化物半導体の酸素によって酸化されることを防止する。n型酸化ガリウム基板1と、n型酸化ガリウム基板1に接合されたアノード電極3と、n型酸化ガリウム基板1に設けられたカソード電極2とを備え、アノード電極3とカソード電極2との間に設けられたn型酸化ガリウム基板1を介してアノード電極3とカソード電極2との間に電流が流れる半導体装置10であって、アノード電極3とn型酸化ガリウム基板1とが接合された接合部に隣接して設けられたp型酸化物半導体層4aと、p型酸化物半導体層4aとn型酸化ガリウム基板1との間に設けられた窒化物層7とを備える。