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1. (WO2018020821) 単結晶製造装置
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国際公開番号: WO/2018/020821 国際出願番号: PCT/JP2017/020228
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 31.05.2017
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 11/08 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
11
ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法
04
融液中に結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの
08
結晶化中に結晶組成の全ての成分を加えるもの
出願人:
株式会社クリスタルシステム CRYSTAL SYSTEMS CORPORATION [JP/JP]; 山梨県北杜市小淵沢町9633番地1 9633-1, Kobuchisawa-cho, Hokuto-shi, Yamanashi 4080044, JP
発明者:
進藤 勇 SHINDO, Isamu; JP
代理人:
特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM; 東京都品川区西五反田七丁目13番6号 五反田山崎ビル6階 Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
優先権情報:
2016-14830628.07.2016JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL PRODUCING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL
(JA) 単結晶製造装置
要約:
(EN) [Problem] To produce a large single crystal with a composition that has a uniform optimum additive density in both the vertical and horizontal directions. [Solution] A single crystal producing device that includes at least: a transparent silica tube inside which the seed crystal of a substance to be produced is placed; a powder starting material supply means, which is provided above the transparent silica tube, for supplying a powder starting material on the seed crystal placed inside the transparent silica tube; and an infrared irradiation means, which is provided outside the transparent silica tube, for infrared light irradiation of the top surface of the seed crystal placed inside the transparent silica tube and the powder starting material supplied inside the transparent silica tube by the powder starting material supply means. The single crystal producing device is configured to melt the top surface of the seed crystal and the powder starting material by irradiating the inside of the transparent silica tube with the infrared light from the infrared irradiation means and solidify the powder starting material on the seed crystal to produce the single crystal that is the desired substance to be produced.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de produire un grand monocristal avec une composition qui possède une densité d'additif optimale uniforme dans les directions verticale et horizontale. À cet effet, l'invention porte sur un dispositif de production de monocristal qui comprend au moins : un tube de silice transparent à l'intérieur duquel est placé le germe cristallin d'une substance à produire ; un moyen d'alimentation en matériau de départ pulvérulent, qui est disposé au-dessus du tube de silice transparent, pour fournir un matériau de départ pulvérulent sur le germe cristallin placé à l'intérieur du tube de silice transparent ; et un moyen d'irradiation infrarouge, qui est disposé à l'extérieur du tube de silice transparent, pour l'irradiation par une lumière infrarouge de la surface supérieure du cristal germe placé à l'intérieur du tube de silice transparent et du matériau de départ pulvérulent alimenté à l'intérieur du tube de silice transparent par le moyen d'alimentation en matériau de départ pulvérulent. Le dispositif de production de monocristal est conçu de manière à faire fondre la surface supérieure du germe cristallin et du matériau de départ pulvérulent par irradiation de l'intérieur du tube de silice transparent avec la lumière infrarouge provenant du moyen d'irradiation infrarouge et à solidifier le matériau de départ pulvérulent sur le germe cristallin de manière à produire le monocristal qui est la substance à produire souhaitée.
(JA) [課題]垂直方向,水平方向のいずれの方向に対しても組成が最適添加物濃度で均質な大型の単結晶を製造する。 [解決手段]内部に製造しようとする物質の種子結晶が設置される透明石英管と、前記透明石英管の上部に設けられ、前記透明石英管内に設置される種子結晶上に粉末原料を供給する粉末原料供給手段と、前記透明石英管の外側に設けられ、前記透明石英管内に設置される種子結晶の上面および前記粉末原料供給手段により前記透明石英管内に供給される粉末原料に、赤外線を照射する赤外線照射手段と、を少なくとも備え、前記赤外線照射手段から前記透明石英管内に赤外線を照射することにより前記種子結晶の上面と粉末原料とを溶融し、これを前記種子結晶上に固化させて製造しようとする物質の単結晶を製造するよう構成された単結晶製造装置とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)