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1. (WO2018020798) ウェーハの両面研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/020798    国際出願番号:    PCT/JP2017/019129
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 23.05.2017
IPC:
B24B 37/28 (2012.01), H01L 21/304 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)
発明者: MIKURIYA Shunsuke; (JP).
MIURA Tomonori; (JP)
代理人: WASHIZU Mitsuhiro; (JP).
OGATA Kazufumi; (JP).
KUROSE Yasuyuki; (JP)
優先権情報:
2016-150449 29.07.2016 JP
発明の名称: (EN) DOUBLE-SIDED WAFER POLISHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DOUBLE FACE DE PLAQUETTES
(JA) ウェーハの両面研磨方法
要約: front page image
(EN)The present invention limits roll-off of the outer edge of wafers in double-sided polishing and reduces variation in flatness. Provided is a method for double-sided wafer polishing in which the wafers, which have been set inside the wafer-loading hole of carriers, are compressed and held along with the carriers with an upper surface plate and a lower surface plate and the upper surface plate and the lower surface plate are rotated while supplying a slurry to the wafers. The method is provided with: a step (S1) for measuring beforehand the slope of the main surfaces of multiple carriers near the edges of the wafer-loading holes; steps (S2Y, S3) for selecting, from among the multiple carriers, those for which the slope is not more than a threshold value on the basis of the slope measurement results; and a step (S4) for double-sided wafer polishing using the selected carriers.
(FR)La présente invention limite la diminution du bord extérieur des plaquettes dans un polissage double face et réduit la variation de planéité. L'invention porte également sur un procédé de polissage double face de plaquettes dans lequel les plaquettes, qui ont été placées à l'intérieur du trou de chargement de plaquette de supports, sont comprimées et maintenues en même temps que les supports au moyen d’une plaque de surface supérieure et d’une plaque de surface inférieure, et la plaque de surface supérieure et la plaque de surface inférieure sont mises en rotation tout en fournissant une boue aux plaquettes. Le procédé comporte : une étape (S1) de mesure préalable de la pente des surfaces principales de multiples supports près des bords des trous de chargement de plaquette ; des étapes (S2Y, S3) de sélection, parmi les multiples supports, de ceux pour lesquels la pente n'est pas supérieure à une valeur seuil sur la base des résultats de mesure de pente ; et une étape (S4) de polissage double face de plaquette à l'aide des supports sélectionnés.
(JA)両面研磨においてウェーハ外周部のロールオフを抑制して平坦度のばらつきを低減する。キャリアのウェーハ装填孔内にセットされたウェーハを上定盤と下定盤とでキャリアごと挟圧保持し、ウェーハにスラリーを供給しながら上定盤と下定盤とを回転させてウェーハを両面研磨する方法であって、複数のキャリアのウェーハ装填孔のエッジ近傍における主面の傾き値を予め測定する工程(S1)と、傾き値の測定結果に基づいて、複数のキャリアの中から傾き値が閾値以下のものを選別する工程(S2Y,S3)と、選別されたキャリアを用いてウェーハを両面研磨する工程(S4)とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)