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1. (WO2018020791) 窒化物半導体レーザおよび電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/020791 国際出願番号: PCT/JP2017/018808
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 19.05.2017
IPC:
H01S 5/183 (2006.01) ,H01S 5/323 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
18
表面放出型レーザ(SEL)
183
垂直共振器を有するもの(VCSEL)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
32
PN接合からなるもの,例.ヘテロまたはダブルヘテロ構造
323
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人: SONY CORPORATION[JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
発明者: IZUMI, Shoichiro; JP
HAMAGUCHI, Tatsushi; JP
SATO, Susumu; JP
FUTAGAWA, Noriyuki; JP
代理人: TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2016-14690727.07.2016JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 窒化物半導体レーザおよび電子機器
要約:
(EN) A nitride semiconductor laser of an embodiment of the present disclosure is provided with: an active layer, a current construction layer having an opening, and a vertical resonator layer including two DBR layers sandwiching the active layer and the opening. This nitride semiconductor layer is further provided with a resonance-suppressing unit provided on the outside of the vertical resonator layer, and at least at a position facing opposite the opening.
(FR) Selon un mode de réalisation de la présente invention, un laser à semi-conducteur au nitrure comporte : une couche active, une couche de construction de courant ayant une ouverture, et une couche de résonateur vertical comprenant deux couches à réflecteur Bragg réparti (DBR) prenant en sandwich la couche active et l'ouverture. Cette couche semi-conductrice au nitrure est en outre pourvue d'une unité de suppression de résonance située à l'extérieur de la couche de résonateur vertical, et au moins à une position située en regard de l'ouverture.
(JA) 本開示の一実施の形態に係る窒化物半導体レーザは、活性層と、開口部を有する電流狭窄層と、活性層および開口部を挟み込む2つのDBR層とを含む垂直共振器層を備えている。この窒化物半導体レーザは、さらに、垂直共振器層の外側であって、かつ、少なくとも開口部と対向する位置に設けられた共振抑制部を備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)