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1. (WO2018020781) 基材接合装置及びこれを使用する基材接合方法
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国際公開番号: WO/2018/020781 国際出願番号: PCT/JP2017/018187
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 15.05.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,B23K 20/00 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
20
加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
三菱重工工作機械株式会社 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES MACHINE TOOL CO., LTD. [JP/JP]; 滋賀県栗東市六地蔵130番地 130, Rokujizo, Ritto-shi, Shiga 5203080, JP
発明者:
内海 淳 UTSUMI, Jun; JP
井手 健介 IDE, Kensuke; JP
鈴木 毅典 SUZUKI, Takenori; JP
後藤 崇之 GOTO, Takayuki; JP
代理人:
光石 俊郎 MITSUISHI, Toshiro; JP
光石 春平 MITSUISHI, Shumpei; JP
田中 康幸 TANAKA, Yasuyuki; JP
松元 洋 MATSUMOTO, Hiroshi; JP
山田 哲三 YAMADA, Tetsuzo; JP
優先権情報:
2016-14929629.07.2016JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE JOINING DEVICE AND SUBSTRATE JOINING METHOD USING SAME
(FR) DISPOSITIF DE JONCTION DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE JONCTION DE SUBSTRAT UTILISANT CELUI-CI
(JA) 基材接合装置及びこれを使用する基材接合方法
要約:
(EN) Provided is a substrate joining device (100), which joins a first substrate (11) comprising at least one among a semiconductor material, a compound semiconductor material, and a metal material, with a second substrate (12), the substrate joining device (100) being provided with: a lower stage (113) for holding the first substrate (11); an upper stage (115) for holding the second substrate (12); a lifting cylinder (114) for vertically moving the upper stage (115); an exhaust pump (116) for evacuating a chamber (111); a gas source (117) for supplying a gas (1) such as Ar into the chamber (111); electrode plates (113a, 115a) and an alternating current power source (118) which generate plasma (2) of the gas (1) between the upper and lower stages (113, 115); and an earth (119) which causes plasma particles (Mp) to collide with the surface of the first substrate (11) and sputtered particles (Ms) from the first substrate (11) to be attached to the surface of the second substrate (12).
(FR) L'invention concerne un dispositif de jonction de substrat (100), qui relie un premier substrat (11) comprenant au moins un matériau parmi un matériau semi-conducteur, un matériau semi-conducteur composé, et un matériau métallique, avec un second substrat (12), le dispositif de jonction de substrat (100) étant pourvu : d'un étage inférieur (113) pour maintenir le premier substrat (11); d'un étage supérieur (115) pour maintenir le second substrat (12); un vérin de levage (114) pour déplacer verticalement l'étage supérieur (115); une pompe d'échappement (116) pour évacuer une chambre (111); une source de gaz (117) pour fournir un gaz (1) tel que Ar dans la chambre (111); des plaques d'électrodes (113a, 115a) et une source d'alimentation en courant alternatif (118) qui génère du plasma (2) du gaz (1) entre les étages supérieur et inférieur (113, 115); et une terre (119) qui amène les particules de plasma (Mp) à entrer en collision avec la surface du premier substrat (11) et des particules pulvérisées (Ms) du premier substrat (11) à fixer à la surface du second substrat (12).
(JA) 半導体材料,化合物半導体材料,金属材料,のうちの少なくとも一種からなる第一の基材(11)と、第二の基材(12)とを接合する基材接合装置(100)であって、第一の基材(11)を保持する下ステージ(113)と、第二の基材(12)を保持する上ステージ(115)と、上ステージ(115)を昇降させる昇降シリンダ(114)と、チャンバ(111)内を排気する排気ポンプ(116)と、チャンバ(111)内にAr等のガス(1)を供給するガス源(117)と、上下ステージ(113,115)間にガス(1)のプラズマ(2)を発生させる電極板(113a,115a)及び交流電源(118)と、プラズマ粒子(Mp)を第一の基材(11)の表面へ衝突させて第一の基材(11)のスパッタ粒子(Ms)を第二の基材(12)の表面に被着させるアース(119)とを備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)