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1. (WO2018020780) 基材接合方法
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国際公開番号: WO/2018/020780 国際出願番号: PCT/JP2017/018186
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 15.05.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,B23K 20/00 (2006.01) ,B23K 20/24 (2006.01) ,H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
20
加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
20
加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法
24
予備処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
三菱重工工作機械株式会社 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES MACHINE TOOL CO., LTD. [JP/JP]; 滋賀県栗東市六地蔵130番地 130, Rokujizo, Ritto-shi, Shiga 5203080, JP
国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP
発明者:
内海 淳 UTSUMI, Jun; JP
井手 健介 IDE, Kensuke; JP
鈴木 毅典 SUZUKI, Takenori; JP
後藤 崇之 GOTO, Takayuki; JP
高木 秀樹 TAKAGI, Hideki; JP
倉島 優一 KURASHIMA, Yuuichi; JP
代理人:
光石 俊郎 MITSUISHI, Toshiro; JP
光石 春平 MITSUISHI, Shumpei; JP
田中 康幸 TANAKA, Yasuyuki; JP
松元 洋 MATSUMOTO, Hiroshi; JP
山田 哲三 YAMADA, Tetsuzo; JP
優先権情報:
2016-14929529.07.2016JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE JOINING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE JONCTION DE SUBSTRAT
(JA) 基材接合方法
要約:
(EN) Provided is a substrate joining method for joining a first substrate (11) and a second substrate (12) by sputter-etching, the substrate joining method comprising: an activation step in which the surface of a first substrate (11) is irradiated with a beam (2) of ion particles of a gas (1) such as Ar and sputter-etched to thereby attach sputtered particles (Ms) from the first substrate (11) onto the surface of a second substrate (12), the first substrate (11) comprising at least one among a semiconductor material, a compound semiconductor material, and a metal material; and a joining step in which the surface of the second substrate (12), onto which the sputtered particles (Ms) from the first substrate (11) are attached, and the surface of the substrate (11), which is sputter-etched, are overlapped and joined with each other.
(FR) L'invention porte sur un procédé de jonction de substrat pour relier un premier substrat (11) et un second substrat (12) par gravure par pulvérisation cathodique, le procédé de jonction de substrat comprenant : une étape d'activation dans laquelle la surface d'un premier substrat (11) est exposée à un faisceau (2) de particules ioniques d'un gaz (1) tel que de l'argon et gravée par pulvérisation cathodique pour ainsi fixer des particules pulvérisées (Ms) du premier substrat (11) sur la surface d'un second substrat (12), le premier substrat (11) comprenant au moins un matériau parmi un matériau semi-conducteur, un matériau semi-conducteur composé et un matériau métallique ; et une étape de jonction dans laquelle la surface du second substrat (12), sur laquelle sont fixées les particules pulvérisées (Ms) du premier substrat (11), et la surface du substrat (11), qui est gravée par pulvérisation cathodique, se chevauchent et se rejoignent entre elles.
(JA) 第一の基材(11)と第二の基材(12)とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法であって、第一の基材(11)が、半導体材料,化合物半導体材料,金属材料,のうちの少なくとも一種からなり、Ar等のガス(1)のイオン粒子のビーム(2)を第一の基材(11)の表面に照射して、第一の基材(11)の表面をスパッタエッチングすることにより、第一の基材(11)のスパッタ粒子(Ms)を第二の基材(12)の表面に被着させる活性化工程と、第一の基材(11)のスパッタ粒子(Ms)を被着された第二の基材(12)の表面と、スパッタエッチングされた第一の基材(11)の表面とを重ね合わせて接合する接合工程とを行う。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)