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1. (WO2018020730) 磁気トンネル接合素子およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/020730 国際出願番号: PCT/JP2017/011040
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 17.03.2017
予備審査請求日: 15.08.2017
IPC:
H01L 43/12 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
14
金属質材料,ほう素またはけい素
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
出願人:
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
発明者:
本庄 弘明 HONJO, Hiroaki; JP
池田 正二 IKEDA, Shoji; JP
佐藤 英夫 SATO, Hideo; JP
遠藤 哲郎 ENDOH, Tetsuo; JP
大野 英男 OHNO, Hideo; JP
代理人:
特許業務法人第一国際特許事務所 PATENT CORPORATE BODY DAI-ICHI KOKUSAI TOKKYO JIMUSHO; 東京都千代田区岩本町三丁目5番12号 5-12, Iwamotocho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032, JP
優先権情報:
2016-15015429.07.2016JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC TUNNEL COUPLING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE COUPLAGE MAGNÉTIQUE À EFFET TUNNEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT ÉLÉMENT DE COUPLAGE MAGNÉTIQUE À EFFET TUNNEL
(JA) 磁気トンネル接合素子およびその製造方法
要約:
(EN) In order to provide a magnetic tunnel coupling element having a higher TMR ratio and making it possible to prevent damage to a record layer and a fixed layer during film formation, and a method for manufacturing the magnetic tunnel coupling element, when manufacturing a magnetic tunnel coupling element formed by: laminating, in the sequence listed, a fixed layer comprising a ferromagnetic material and having a fixed magnetization direction, a magnetic coupling layer comprising a non-magnetic material, a reference layer comprising a ferromagnetic material and having a fixed magnetization direction, a barrier layer comprising a non-magnetic material, and a record layer comprising a ferromagnetic material; laminating, in the sequence listed, a reference layer comprising a ferromagnetic material and having a fixed magnetization direction, and a record layer obtained by sandwiching a barrier layer comprising a non-magnetic material and an insertion layer comprising a non-magnetic material with first and second ferromagnetic layers; or performing lamination in a sequence opposite one of the sequences set out above, the magnetic coupling layer and the insertion layer are formed by a sputtering gas in which the value of the ratio, in which the mass number of the element used in the magnetic coupling layer and the insertion layer is divided by the mass number of the sputtering gas, is 2.2 or smaller.
(FR) L'invention vise à obtenir un élément de couplage magnétique à effet tunnel présentant un rapport TMR plus élevé et permettant d'éviter l'endommagement d'une couche d'enregistrement et d'une couche fixe pendant la formation du film, et un procédé de fabrication de l'élément de couplage magnétique à effet tunnel, lors de la fabrication d'un élément de couplage magnétique à effet tunnel formé par : la stratification, dans l'ordre suivant, d'une couche fixe comprenant un matériau ferromagnétique et présentant une direction de magnétisation fixe, d'une couche de couplage magnétique comprenant un matériau non magnétique, d'une couche de référence comprenant un matériau ferromagnétique et présentant une direction de magnétisation fixe, d'une couche barrière comprenant un matériau non magnétique, et d'une couche d'enregistrement comprenant un matériau ferromagnétique ; la stratification, dans l'ordre suivant, d'une couche de référence comprenant un matériau ferromagnétique et présentant une direction de magnétisation fixe, et d'une couche d'enregistrement obtenue par l'intercalation d'une couche barrière comprenant un matériau non magnétique et d'une couche d'insertion comprenant un matériau non magnétique avec des première et seconde couches ferromagnétiques ; ou la réalisation d'une stratification dans un ordre opposé à l'un de ceux exposés ci-dessus, la couche de couplage magnétique et la couche d'insertion étant formées par un gaz de pulvérisation dans lequel la valeur du rapport, dans laquelle le nombre de masses de l'élément utilisé dans la couche de couplage magnétique et la couche d'insertion est divisé par le nombre de masses du gaz de pulvérisation, est de 2,2 ou moins.
(JA) よりTMR比が高く、成膜時に記録層および固定層の損傷を防ぐことができる磁気トンネル接合素子およびその製造方法を提供するために、積層順に、強磁性体から成り磁化方向が固定である固定層、非磁性体から成る磁気結合層、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る障壁層および強磁性体から成る記録層を積層して構成、または、積層順に、強磁性体から成り磁化方向が固定である参照層、非磁性体から成る障壁層および非磁性体から成る挿入層を第1および第2の強磁性層で挟んで成る記録層を積層して構成、あるいは、前記積層順とは逆順で積層して構成する磁気トンネル接合素子を製造するに際し、磁気結合層および挿入層を、当該磁気結合層および当該挿入層に用いる元素の質量数を自らの質量数で割り算した比の値が2.2以下であるスパッタリングガスを使って成膜する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)