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1. (WO2018020713) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/020713    国際出願番号:    PCT/JP2017/006107
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 20.02.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8222 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
出願人: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
発明者: NATSUME Shinya; (--).
INOUE Masaki; (--).
TANAKA Mitsuo; (--)
代理人: KAMATA Kenji; (JP).
MAEDA Hiroo; (JP)
優先権情報:
2016-148791 28.07.2016 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device (300) is provided with: an active layer (311a), which is an active layer inside of a SOI substrate, and in which an element constituting a circuit is formed; an embedded insulating layer (311b), which is an embedded insulating layer inside of the SOI substrate, and is in contact with the active layer (311a); a deep trench isolation (DTI) region (302), which is formed in the active layer (311a) so as to surround the whole periphery of a forming region of the element in plan view, and which reaches the rear surface of the active layer (311a) from the front surface thereof; and a first conductive film (310) formed above the element. The DTI region (302) has a first hole (303) inside of the DTI region (302), and the thickness of the first conductive film (310) is more than that of the active layer (311a).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (300) qui comporte : une couche active (311a), qui est une couche active à l'intérieur d'un substrat SOI, et dans laquelle un élément constituant un circuit est formé ; une couche isolante intégrée (311b), qui est une couche isolante intégrée à l'intérieur du substrat SOI, et qui est en contact avec la couche active (311a) ; une région d'isolation de tranchée profonde (DTI) (302), qui est formée dans la couche active (311a) de manière à entourer la totalité de la périphérie d'une région de formation de l'élément dans une vue en plan, et qui atteint la surface arrière de la couche active (311a) à partir de la surface avant de cette dernière ; et un premier film conducteur (310) formé au-dessus de l'élément. La région de DTI (302) comporte un premier trou (303) à l'intérieur, et l'épaisseur du premier film conducteur (310) est supérieure à celle de la couche active (311a).
(JA)半導体装置(300)は、SOI基板内部の活性層であって回路を構成する素子が形成された活性層(311a)と、SOI基板内部の埋め込み絶縁層であって活性層(311a)に接する埋め込み絶縁層(311b)と、平面視において素子の形成領域の周囲全体を取り囲むように活性層(311a)に形成され、活性層(311a)の表面から裏面に達するDTI(Deep Trench Isolation)領域(302)と、素子の上方に形成された第1の導電膜(310)とを備える。DTI領域(302)はDTI領域(302)の内部に第1の空孔(303)を有し、第1の導電膜(310)の膜厚は活性層(311a)の厚さよりも厚い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)