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1. (WO2018020713) 半導体装置およびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/020713    International Application No.:    PCT/JP2017/006107
Publication Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Feb 21 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/02
H01L 21/3205
H01L 21/76
H01L 21/762
H01L 21/768
H01L 21/822
H01L 21/8222
H01L 23/29
H01L 23/31
H01L 23/522
H01L 27/04
H01L 27/06
H01L 27/12
Applicants: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.
パナソニックIPマネジメント株式会社
Inventors: NATSUME Shinya
夏目 進也
INOUE Masaki
井上 真幸
TANAKA Mitsuo
田中 光男
Title: 半導体装置およびその製造方法
Abstract:
半導体装置(300)は、SOI基板内部の活性層であって回路を構成する素子が形成された活性層(311a)と、SOI基板内部の埋め込み絶縁層であって活性層(311a)に接する埋め込み絶縁層(311b)と、平面視において素子の形成領域の周囲全体を取り囲むように活性層(311a)に形成され、活性層(311a)の表面から裏面に達するDTI(Deep Trench Isolation)領域(302)と、素子の上方に形成された第1の導電膜(310)とを備える。DTI領域(302)はDTI領域(302)の内部に第1の空孔(303)を有し、第1の導電膜(310)の膜厚は活性層(311a)の厚さよりも厚い。