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1. (WO2018020640) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2018/020640 国際出願番号: PCT/JP2016/072158
国際公開日: 01.02.2018 国際出願日: 28.07.2016
IPC:
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
48
動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
中田 洋輔 NAKATA, Yosuke; JP
佐々木 太志 SASAKI, Taishi; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) A semiconductor chip (3) is bonded to an upper surface of an electrode substrate (1) via a first solder (2). A lead frame (5) is bonded to an upper surface of the semiconductor chip (3) via a second solder (4). Between the electrode substrate (1) and the semiconductor chip (3), an intermediate plate (6) is provided in the first solder (2). The yield strength of the intermediate plate (6) is higher than that of the electrode substrate (1) and that of the first solder (2) within the service temperature range of the semiconductor device.
(FR) Une puce semi-conductrice (3) est liée à une surface supérieure d'un substrat d'électrode (1) par l'intermédiaire d'une première soudure (2). Une grille de connexion (5) est liée à une surface supérieure de la puce semi-conductrice (3) par l'intermédiaire d'une seconde soudure (4). Entre le substrat d'électrode (1) et la puce semi-conductrice (3), une plaque intermédiaire (6) est prévue dans la première soudure (2). La limite d'élasticité de la plaque intermédiaire (6) est supérieure à celle du substrat d'électrode (1) et celle de la première soudure (2) dans la plage de température de service du dispositif à semi-conducteur.
(JA) 電極基板(1)の上面に第1のはんだ(2)を介して半導体チップ(3)が接合されている。半導体チップ(3)の上面に第2のはんだ(4)を介してリードフレーム(5)が接合されている。電極基板(1)と半導体チップ(3)との間において第1のはんだ(2)中に中間板(6)が設けられている。中間板(6)の耐力は、半導体装置の使用温度範囲の全てにおいて電極基板(1)及び第1のはんだ(2)の耐力よりも大きい。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN109478543DE112016007096US20190157235