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1. (WO2018016570) 固体撮像素子および固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/016570    国際出願番号:    PCT/JP2017/026243
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 20.07.2017
IPC:
H01L 27/30 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H01L 51/42 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP).
SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
発明者: HIROSE, Yohei; (JP).
YAGI, Iwao; (JP).
HIRATA, Shintarou; (JP).
MOGI, Hideaki; (JP).
BANDO, Masashi; (JP).
ENOKI, Osamu; (JP)
代理人: TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2016-142154 20.07.2016 JP
2016-155728 08.08.2016 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) ÉLÉMENT ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子および固体撮像装置
要約: front page image
(EN)[Solution] A first solid-state image pickup element of an embodiment of the present disclosure is provided with: a lower electrode; an upper electrode placed opposed to the lower electrode; a photoelectric conversion layer provided between the lower electrode and the upper electrode, and containing a first organic semiconductor material; and an upper intermediate layer provided between the upper electrode and the photoelectric conversion layer, for which the concentration of a second organic semiconductor material which has halogen atoms within the molecules is 0 volume% or greater and less than 0.05 volume%.
(FR)Selon un mode de réalisation, la solution de la présente invention porte sur un premier élément de capture d'image à semi-conducteurs comportant : une électrode inférieure ; une électrode supérieure placée à l'opposé de l'électrode inférieure ; une couche de conversion photoélectrique disposée entre les électrodes inférieure et supérieure et contenant un premier matériau semi-conducteur organique ; et une couche intermédiaire supérieure disposée entre l'électrode supérieure et la couche de conversion photoélectrique, et qui possède une concentration en un second matériau semi-conducteur organique renfermant des atomes d'halogène à l'intérieur des molécules qui est supérieure ou égale à 0 % en volume et inférieure à 0,05 % en volume.
(JA)【解決手段】本開示の一実施形態の第1の固体撮像素子は、下部電極と、下部電極と対向配置された上部電極と、下部電極と上部電極との間に設けられると共に、第1の有機半導体材料を含む光電変換層と、上部電極と光電変換層との間に設けられると共に、分子内にハロゲン原子を有する第2の有機半導体材料の濃度が0体積%以上0.05体積%未満である上部中間層とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)