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1. (WO2018016419) 半導体製造装置用部品の製造方法、および、半導体製造装置用部品
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/016419 国際出願番号: PCT/JP2017/025610
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 13.07.2017
IPC:
C04B 37/00 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
出願人: NGK SPARK PLUG CO., LTD.[JP/JP]; 14-18, Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678525, JP
発明者: MITSUYA Kohei; JP
TANGE Hideo; JP
HOTTA Motoki; JP
OGAWA Takamichi; JP
代理人: ALPHA INTERNATIONAL PATENT FIRM; Daiei Bldg. 3F, 1-11-20, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
優先権情報:
2016-14249420.07.2016JP
2016-15132601.08.2016JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE COMPONENT, AND SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT DE DISPOSITIF DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS ET COMPOSANT DE DISPOSITIF DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置用部品の製造方法、および、半導体製造装置用部品
要約: front page image
(EN) The present invention suppresses a decline in the joining strength between a first ceramic member and a second ceramic member while reducing the joining temperature thereof. To this end, a method for producing a semiconductor production device component includes a step for preparing a first ceramic member formed from a material having AlN as a principal component thereof, a step for preparing a second ceramic member formed from a material having AlN as a principal component thereof, and a step for joining the first and second ceramic members to one another by heating and pressurizing with a joining agent containing Eu2O3, Gd2O3 and Al2O3 interposed between the first and second ceramic members.
(FR) La présente invention supprime une diminution de la force d'assemblage entre un premier élément céramique et un deuxième élément céramique, tout en réduisant la température de jonction correspondante. A cette fin, un procédé de production d'un composant de dispositif de production de semi-conducteurs comprend une étape de préparation d'un premier élément en céramique formé à partir d'un matériau présentant de l'AlN en tant que constituant principal correspondant, une étape de préparation d'un deuxième élément en céramique formé à partir d'un matériau présentant de l'AlN en tant que constituant principal correspondant et une étape d'assemblage du premier et du deuxième élément en céramique l'un à l'autre par chauffage et mise sous pression, un agent de liaison contenant Eu2O3, Gd2O3 et Al2O3 étant interposé entre le premier et le deuxième élément en céramique.
(JA) 接合温度を低くしつつ、第1のセラミックス部材と第2のセラミックス部材との接合強度の低下を抑制する。 半導体製造装置用部品の製造方法は、AlNを主成分とする材料により形成された第1のセラミックス部材を準備する工程と、AlNを主成分とする材料により形成された第2のセラミックス部材を準備する工程と、第1のセラミックス部材と第2のセラミックス部材との間に、EuとGdとAlとを含む接合剤を介在させた状態で加熱加圧することにより第1のセラミックス部材と第2のセラミックス部材とを接合する工程とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)