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1. (WO2018016418) 半導体製造装置用部品
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/016418    国際出願番号:    PCT/JP2017/025609
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 13.07.2017
IPC:
C04B 37/00 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: NGK SPARK PLUG CO., LTD. [JP/JP]; 14-18, Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678525 (JP)
発明者: MITSUYA Kohei; (JP).
TANGE Hideo; (JP).
HOTTA Motoki; (JP).
OGAWA Takamichi; (JP)
代理人: ALPHA INTERNATIONAL PATENT FIRM; Daiei Bldg. 3F, 1-11-20, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
優先権情報:
2016-142494 20.07.2016 JP
発明の名称: (EN) COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE
(FR) COMPOSANT DESTINÉ À UN DISPOSITIF DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置用部品
要約: front page image
(EN)In order to suppress the scattering of a rare earth hydroxide and also suppress a decline in the joining strength between a first ceramic member and a second ceramic member, this component for a semiconductor production device is equipped with a first ceramic member formed from a material having AlN as the principal component thereof, a second ceramic member formed from a material having AlN as the principal component thereof, and a joining layer which joins the first ceramic member and the second ceramic member and is positioned between the first ceramic member and the second ceramic member, wherein the joining layer contains a perovskite oxide represented by chemical formula ABO3 (herein, A is a rare earth element and B is Al), and does not contain a rare earth single oxide having only oxygen and a rare earth element.
(FR)La présente invention concerne un composant pour dispositif de production de semi-conducteurs qui permet d'empêcher la diffusion d'un hydroxyde de terre rare et d'empêcher également une diminution de la force d'assemblage entre un premier élément céramique et un second élément céramique. Pour ce faire, ce composant pour dispositif de production de semi-conducteurs comporte un premier élément en céramique formé à partir d'un matériau ayant du AlN en tant que composant principal de ce dernier, un second élément en céramique formé à partir d'un matériau ayant du AlN en tant que composant principal de ce dernier, et une couche d'assemblage qui assemble le premier élément céramique et le second élément céramique et qui est positionnée entre le premier élément céramique et le second élément céramique, la couche d'assemblage renfermant un oxyde pérovskite représenté par la formule chimique ABO3 (dans laquelle A est une terre rare et B est Al), et ne renfermant pas de mono-oxyde de terre rare ayant uniquement de l'oxygène et une terre rare.
(JA)希土類水酸化物の飛散や第1のセラミックス部材と第2のセラミックス部材との接合強度の低下を抑制する。 半導体製造装置用部品は、AlNを主成分とする材料により形成された第1のセラミックス部材と、AlNを主成分とする材料により形成された第2のセラミックス部材と、前記第1のセラミックス部材と前記第2のセラミックス部材との間に配置され、前記第1のセラミックス部材と前記第2のセラミックス部材とを接合する接合層と、を備え、前記接合層は、化学式ABO(但し、Aは希土類元素であり、BはAlである。)で表されるペロブスカイト型酸化物を含み、希土類元素と酸素とのみを有する希土類単一酸化物を含まない。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)