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国際公開番号: WO/2018/016417 国際出願番号: PCT/JP2017/025600
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 13.07.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
出願人: SICOXS CORPORATION[JP/JP]; 20, Kandamatsunaga-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018629, JP
発明者: IMAOKA Ko; JP
MURASAKI Takanori; JP
SHIMO Toshihisa; JP
UCHIDA Hidetsugu; JP
MINAMI Akiyuki; JP
代理人: KAI-U PATENT LAW FIRM; NAGOYA LUCENT TOWER 9F, 6-1, Ushijima-cho, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4516009, JP
優先権情報:
2016-14178219.07.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板
要約:
(EN) Provided is a laminated semiconductor substrate with which interfacial resistance can be reduced. The semiconductor substrate is provided with a single crystalline SiC substrate and a polycrystalline SiC substrate. The single crystalline SiC substrate and the polycrystalline SiC substrate are bonded to each other. A bonding area between the single crystalline SiC substrate and the polycrystalline SiC substrate includes specific atoms of 1×1021 (atoms/cm3).
(FR) L'invention concerne un substrat semi-conducteur stratifié dont la résistance interfaciale peut être réduite. Le substrat semi-conducteur est pourvu d'un substrat SiC monocristallin et d'un substrat SiC polycristallin. Le substrat SiC monocristallin et le substrat SiC polycristallin sont liés l'un à l'autre. Une zone de liaison entre le substrat SiC monocristallin et le substrat SiC polycristallin comprend des atomes spécifiques de 1×1021 (atomes/cm3).
(JA) 界面抵抗を低減させることが可能な貼り合せ半導体基板を提供する。半導体基板は、単結晶SiC基板と、多結晶SiC基板と、を備える。単結晶SiC基板と多結晶SiC基板とは、接合している。単結晶SiC基板と多結晶SiC基板との接合領域は、1×1021(atoms/cm)以上の特定原子を含んでいる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)