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1. (WO2018016311) 放射線検出器
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国際公開番号:    WO/2018/016311    国際出願番号:    PCT/JP2017/024451
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 04.07.2017
IPC:
G01T 1/24 (2006.01), A61B 6/03 (2006.01), G01T 7/00 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6,Marunouchi 1-chome,Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
発明者: ONOUCHI,Masafumi; (JP)
代理人: POLAIRE I.P.C.; (JP)
優先権情報:
2016-141276 19.07.2016 JP
発明の名称: (EN) RADIATION DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT
(JA) 放射線検出器
要約: front page image
(EN)The present invention suppresses deviation in radiation detection performance between a plurality of adjacent semiconductor layers to which a bias voltage is applied and enhances detection accuracy. This radiation detector is provided with: a plurality of detection element modules configured through the two-dimensional arrangement of detection elements that have a semiconductor layer for generating charge through the reception of radiation photons, a common electrode that is formed on one surface of the semiconductor layer and is for applying a bias voltage to the semiconductor layer, and a pixel electrode that is formed on the other surface of the semiconductor layer; a plurality of lead lines for power supply that are arranged at a prescribed interval on the surfaces of the common electrodes of the detection elements included in the detection element modules; and scattered ray removing members that are disposed above the lead lines so as to correspond to the arrangement of the lead lines.
(FR)La présente invention supprime l'écart de performance de détection de rayonnement entre une pluralité de couches semi-conductrices adjacentes auxquelles une tension de polarisation est appliquée et améliore la précision de détection. Ce détecteur de rayonnement est pourvu de : une pluralité de modules d'élément de détection configurés au moyen de l'agencement bidimensionnel d'éléments de détection qui ont une couche semi-conductrice pour générer une charge par l'intermédiaire de la réception de photons de rayonnement, une électrode de référence qui est formée sur une surface de la couche semi-conductrice et est destinée à appliquer une tension de polarisation à la couche semi-conductrice, et une électrode de pixel qui est formée sur l'autre surface de la couche semi-conductrice; une pluralité de lignes conductrices pour l'alimentation électrique qui sont agencées à un intervalle prescrit sur les surfaces des électrodes de référence des éléments de détection inclus dans les modules d'élément de détection; et des éléments d'élimination de rayons dispersés qui sont disposés au-dessus des lignes conductrices de façon à correspondre à l'agencement des lignes conductrices.
(JA)複数の隣接配置した半導体層へバイアス電圧を給電する際に、各半導体層間の放射線検出機能の差を抑制し検出精度を向上させる。 放射線の光子を受けて電荷を発生する半導体層と、該半導体層の一方の面に形成され前記半導体層にバイアス電圧を印加する共通電極と、前記半導体層の他方の面に形成された画素電極とを有する検出素子が二次元配列されてなる複数の検出素子モジュールと、該検出素子モジュールに含まれる各検出素子の共通電極の表面に所定の間隔で配列された給電用の複数のリード線と、該リード線の配置に対応させて、かつ、該リード線の上部に設けられた散乱線除去部材を備えた放射線検出器を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)