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1. (WO2018016215) 光電変換素子および固体撮像装置
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国際公開番号: WO/2018/016215 国際出願番号: PCT/JP2017/021262
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 08.06.2017
IPC:
H01L 31/10 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
松澤 伸行 MATSUZAWA, Nobuyuki; JP
長谷川 雄大 HASEGAWA, Yuta; JP
尾花 良哲 OBANA, Yoshiaki; JP
竹村 一郎 TAKEMURA, Ichiro; JP
山口 哲司 YAMAGUCHI, Tetsuji; JP
榎 修 ENOKI, Osamu; JP
代理人:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2016-14254720.07.2016JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 光電変換素子および固体撮像装置
要約:
(EN) According to one embodiment of the present disclosure, a photoelectric conversion element is provided with: a first electrode and a second electrode, which are disposed facing each other; and a photoelectric conversion layer, which is provided between the first electrode and the second electrode, and which contains a first organic semiconductor material and a second semiconductor material respectively having different mother skeletons. The first organic semiconductor material is a fullerene or a fullerene derivative, and the second organic semiconductor material has a HOMO level that is deeper than that of the first organic semiconductor material.
(FR) Selon un mode de réalisation de la présente invention, un élément de conversion photoélectrique est pourvu : de première et seconde électrodes disposées en regard l'une de l'autre; et d'une couche de conversion photoélectrique disposée entre les première et seconde électrodes, et qui contient des premier et second matériaux semi-conducteurs ayant respectivement des squelettes-mères différents. Le premier matériau semi-conducteur organique est un fullerène ou un dérivé de fullerène, et le second matériau semi-conducteur organique présente un niveau HOMO plus profond que le niveau HOMO du premier matériau semi-conducteur organique.
(JA) 本開示の一実施形態の光電変換素子は、対向配置された第1電極および第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられると共に、互いに異なる母骨格を有する第1の有機半導体材料および第2の半導体材料を含む光電変換層とを備えたものであり、第1の有機半導体材料は、フラーレンまたはフラーレン誘導体であり、第2の有機半導体材料は、第1の有機半導体材料よりも深いHOMO準位を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)