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1. (WO2018016215) 光電変換素子および固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/016215    国際出願番号:    PCT/JP2017/021262
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 08.06.2017
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
発明者: MATSUZAWA, Nobuyuki; (JP).
HASEGAWA, Yuta; (JP).
OBANA, Yoshiaki; (JP).
TAKEMURA, Ichiro; (JP).
YAMAGUCHI, Tetsuji; (JP).
ENOKI, Osamu; (JP)
代理人: TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2016-142547 20.07.2016 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 光電変換素子および固体撮像装置
要約: front page image
(EN)According to one embodiment of the present disclosure, a photoelectric conversion element is provided with: a first electrode and a second electrode, which are disposed facing each other; and a photoelectric conversion layer, which is provided between the first electrode and the second electrode, and which contains a first organic semiconductor material and a second semiconductor material respectively having different mother skeletons. The first organic semiconductor material is a fullerene or a fullerene derivative, and the second organic semiconductor material has a HOMO level that is deeper than that of the first organic semiconductor material.
(FR)Selon un mode de réalisation de la présente invention, un élément de conversion photoélectrique est pourvu : de première et seconde électrodes disposées en regard l'une de l'autre; et d'une couche de conversion photoélectrique disposée entre les première et seconde électrodes, et qui contient des premier et second matériaux semi-conducteurs ayant respectivement des squelettes-mères différents. Le premier matériau semi-conducteur organique est un fullerène ou un dérivé de fullerène, et le second matériau semi-conducteur organique présente un niveau HOMO plus profond que le niveau HOMO du premier matériau semi-conducteur organique.
(JA)本開示の一実施形態の光電変換素子は、対向配置された第1電極および第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられると共に、互いに異なる母骨格を有する第1の有機半導体材料および第2の半導体材料を含む光電変換層とを備えたものであり、第1の有機半導体材料は、フラーレンまたはフラーレン誘導体であり、第2の有機半導体材料は、第1の有機半導体材料よりも深いHOMO準位を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)