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1. (WO2018016169) 弾性表面波デバイス用複合基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/016169    国際出願番号:    PCT/JP2017/019181
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 23.05.2017
IPC:
H03H 3/08 (2006.01), B23K 20/00 (2006.01), B23K 20/24 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: AKIYAMA Shoji; (JP).
TANNO Masayuki; (JP).
SHIRAI Shozo; (JP)
代理人: ORISAKA Shigeki; (JP)
優先権情報:
2016-142751 20.07.2016 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE COMPOSITE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE DE DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE
(JA) 弾性表面波デバイス用複合基板の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a surface acoustic wave device composite substrate in which a piezoelectric single crystal film is not entirely peeled off even when being heated to 400°C or higher in a step after bonding. The composite substrate is manufactured by: preparing a piezoelectric single crystal substrate and a support substrate; forming a film made of an inorganic material on at least one of the piezoelectric single crystal substrate and the support substrate; and joining the piezoelectric single crystal substrate and the support substrate together with the film made of the inorganic material sandwiched therebetween.
(FR)La présente invention concerne un substrat composite de dispositif à ondes acoustiques de surface dans lequel un film monocristallin piézoélectrique n'est pas entièrement décollé même lorsqu'il est chauffé à 400 °C ou plus lors d'une étape après le collage. Le substrat composite est fabriqué par : préparation d'un substrat monocristallin piézoélectrique et d'un substrat de support ; formation d'un film constitué d'un matériau inorganique sur au moins le substrat monocristallin piézoélectrique ou le substrat de support ; et assemblage du substrat monocristallin piézoélectrique et du substrat de support, le film constitué du matériau inorganique étant pris en sandwich entre eux.
(JA)貼り合わせ後の工程において400℃以上に加熱しても、圧電単結晶膜の全面剥がれが生じない弾性表面波デバイス用複合基板を提供する。圧電単結晶基板と支持基板とを準備し、圧電単結晶基板と支持基板の少なくともいずれか一方に無機材料からなる膜を成膜し、圧電単結晶基板と支持基板とを、無機材料からなる膜を挟むようにして接合することにより複合基板を製造する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)