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1. (WO2018016154) ワイドギャップ半導体基板の欠陥検査装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

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国際公開番号:    WO/2018/016154    国際出願番号:    PCT/JP2017/017371
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 08.05.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), G01N 21/88 (2006.01)
出願人: TORAY ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; Yaesu Ryumeikan Bldg., 3-22, Yaesu 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030028 (JP)
発明者: MURATA, Hiroyuki; (JP)
優先権情報:
2016-141943 20.07.2016 JP
発明の名称: (EN) DEFECT INSPECTION DEVICE FOR WIDE-GAP SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF D'INSPECTION DE DÉFAUTS POUR SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À LARGE BANDE
(JA) ワイドギャップ半導体基板の欠陥検査装置
要約: front page image
(EN)Provided is a defect inspection device in which an imaging range of an object to be examined is variable, and which, despite having a simple device configuration, is capable of performing faster and more reliable defect inspection than is conventionally possible, and is also capable of preventing an extension of a defect. Specifically, a defect inspection device for inspecting a defect caused in a wide-gap semiconductor substrate is provided with an excitation light irradiation unit, a fluorescence imaging unit, and a control unit. The fluorescence imaging unit is provided with a plurality of objective lenses having different observation magnification ratios, and with an imaging magnification ratio switching unit which selects one of the plurality of objective lenses to be switched for use as the objective lens. The excitation light irradiation unit is provided with an irradiation magnification ratio modification unit which modifies the irradiation range and energy density of excitation light. In accordance with the observation magnification ratio of the objective lens selected by the imaging magnification ratio switching unit, the control unit modifies the irradiation range and energy density of the excitation light in an illumination magnification ratio modification unit.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'inspection de défauts dans lequel une plage d'imagerie d'un objet à examiner est variable, et qui, malgré ayant une configuration de dispositif simple, est capable d'effectuer une inspection de défauts plus rapide et plus fiable que celle habituellement possible, et est également capable d'empêcher une extension d'un défaut. Spécifiquement, un dispositif d'inspection de défauts pour inspecter un défaut provoqué dans un substrat semi-conducteur à large bande est pourvu d'une unité d'irradiation de lumière d'excitation, d'une unité d'imagerie par fluorescence et d'une unité de commande. L'unité d'imagerie par fluorescence est pourvue d'une pluralité de lentilles d'objectif ayant des rapports d'agrandissement d'observation différents, et avec une unité de commutation de rapport d'agrandissement d'imagerie qui sélectionne l'une de la pluralité de lentilles d'objectif devant être commutées pour une utilisation en tant que lentille d'objectif. L'unité d'irradiation de lumière d'excitation est pourvue d'une unité de modification de rapport d'agrandissement d'irradiation qui modifie la plage d'irradiation et la densité d'énergie de la lumière d'excitation. En fonction du rapport d'agrandissement d'observation de la lentille d'objectif sélectionnée par l'unité de commutation de rapport d'agrandissement d'imagerie, l'unité de commande modifie la plage d'irradiation et la densité d'énergie de la lumière d'excitation dans une unité de modification du rapport d'agrandissement de l'éclairage.
(JA)検査対象の撮像範囲を可変にしつつ、簡単な装置構成にもかかわらず従来よりも迅速かつ確実に欠陥の検査ができ、欠陥の拡張も防止することができる、欠陥検査装置を提供すること。 具体的には、ワイドギャップ半導体基板に生じた欠陥を検査する欠陥検査装置であって、励起光照射部と、蛍光撮像部を備え、 蛍光撮像部には、観察倍率の異なる対物レンズを複数備え、当該複数の対物レンズの内いずれか1つを選択して切り替える撮像倍率切替部が備えられ、 励起光照射部には、励起光の照射範囲およびエネルギー密度を変更する照射倍率変更部が備えられ、 撮像倍率切替部において選択された対物レンズの観察倍率に応じて、照明倍率変更部における励起光の照射範囲およびエネルギー密度を変更する制御部を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)