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1. (WO2018016131) プラズマ生成装置、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/016131    国際出願番号:    PCT/JP2017/012414
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 27.03.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
発明者: SATO, Akihiro; (JP).
TAKEDA, Tsuyoshi; (JP).
HIROCHI, Yukitomo; (JP)
優先権情報:
2016-143285 21.07.2016 JP
発明の名称: (EN) PLASMA GENERATING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE PLASMA, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) プラズマ生成装置、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)The objective of the present invention is to provide a technique with makes it possible to process a substrate uniformly. Provided is a plasma generating device which includes one or more first electrodes connected to a high-frequency power source, and one or more second electrodes which are grounded, wherein the total number of the first electrodes and the second electrodes is an odd number at least equal to three, the first electrodes and the second electrodes are disposed alternately, and each of either the first electrodes or the second electrodes is used commonly by two other electrodes that are adjacent thereto. Also provided is a technique employing the plasma generating device.
(FR)L'objectif de la présente invention est de fournir une technique qui permet de traiter uniformément un substrat. L'invention concerne un dispositif de génération de plasma qui comprend une ou plusieurs premières électrodes connectées à une source d'alimentation haute fréquence, et une ou plusieurs secondes électrodes qui sont mises à la terre, le nombre total des premières électrodes et des secondes électrodes étant un nombre impair au moins égal à trois, les premières électrodes et les secondes électrodes sont disposées en alternance, et chacune des premières électrodes ou des secondes électrodes est utilisée couramment par deux autres électrodes qui sont adjacentes à celles-ci. L'invention concerne également une technique utilisant le dispositif de génération de plasma.
(JA)基板を均一に処理することが可能な技術を提供する。高周波電源に接続される第1の電極と、接地される第2の電極と、を有し、前記第1の電極と前記第2の電極は、合計が3以上の奇数本で交互に配置され、前記第1の電極と前記第2の電極のいずれか一方の電極は、隣り合う2本の他方の電極に対して共通して用いられるプラズマ生成装置とそれを用いた技術が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)