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1. (WO2018015809) MULTIPLE SILICON ATOM QUANTUM DOT AND DEVICES INCLUSIVE THEREOF
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国際公開番号: WO/2018/015809 国際出願番号: PCT/IB2017/001051
国際公開日: 25.01.2018 国際出願日: 19.07.2017
IPC:
B82B 1/00 (2006.01) ,B82B 3/00 (2006.01) ,B82Y 20/00 (2011.01) ,H01L 33/06 (2010.01)
[IPC code unknown for B82B 1][IPC code unknown for B82B 3][IPC code unknown for B82Y 20][IPC code unknown for H01L 33/06]
出願人:
QUANTUM SILICON INC. [CA/CA]; 11421 Saskatchewan Drive Edmonton, AB T6G 2M9, CA
発明者:
WOLKOW, Robert, A.; CA
ACHAI, Roshan; CA
HUFF, Taleana; CA
LABIDI, Hatem; CA
LIVADARU, Lucian; CA
PIVA, Paul; CA
RASHIDI, Mohammad; CA
優先権情報:
62/364,20619.07.2016US
62/379,16424.08.2016US
発明の名称: (EN) MULTIPLE SILICON ATOM QUANTUM DOT AND DEVICES INCLUSIVE THEREOF
(FR) POINT QUANTIQUE À ATOME DE SILICIUM MULTIPLE ET DISPOSITIFS Y COMPRIS
要約:
(EN) A multiple- atom silicon quantum dot is provided that includes multiple dangling bonds on an otherwise H-terminated silicon surface, each dangling bonds having one of three ionization states of +1, 0 or -1 and corresponding respectively to 0, 1, or 2 electrons in a dangling bond state. The dangling bonds together in close proximity and having the dangling bond states energetically in the silicon band gap with selective control of the ionization state of one of the dangling bonds. A new class of electronics elements is provided through the inclusion of at least one input and at least one output to the multiple dangling bonds. Selective modification or creation of a dangling bond is also detailed.
(FR) L'invention concerne un point quantique de silicium à atomes multiples qui comprend de multiples liaisons pendantes sur une surface de silicium à terminaison H, chaque liaison pendante ayant un des trois états d'ionisation de +1, 0 ou -1 et correspondant respectivement à 0, 1 ou 2 électrons dans un état de liaison pendante. Les liaisons pendantes se trouvent à proximité étroite et possèdent les états de liaison pendante énergétiquement dans la bande interdite du silicium avec une régulation sélective de l'état d'ionisation de l'une des liaisons pendantes. Une nouvelle classe d'éléments électroniques est fournie par l'inclusion d'au moins une entrée et d'au moins une sortie aux multiples liaisons pendantes. La modification sélective ou la création d'une liaison pendante est également détaillée.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)