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1. (WO2018012585) 発光ダイオードおよび発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/012585    国際出願番号:    PCT/JP2017/025534
国際公開日: 18.01.2018 国際出願日: 13.07.2017
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
発明者: WATABE Mayuko; (--).
KAWASAKI Osamu; (--)
代理人: NISHIZAWA Kazuyoshi; (JP).
MIKI Masao; (JP).
NOMURA Susumu; (JP).
KAKUTA Kouji; (JP)
優先権情報:
2016-138783 13.07.2016 JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光ダイオードおよび発光装置
要約: front page image
(EN)Provided is a light emitting diode wherein a nitride semiconductor multilayer film comprises a first nitride semiconductor layer, a second nitride semiconductor layer and a light emitting layer provided between the first nitride semiconductor layer and the second nitride semiconductor layer, a transparent substrate has a protrusion on a surface facing the first nitride semiconductor layer, the light emitting layer comprises, in order from the first nitride semiconductor layer side, a plurality of N quantum well layers (N ≥ 2) from a first quantum well layer, wherein the plurality of quantum well layers has 2 or more types of quantum well layer for emitting 2 or more types of light having differing main light-emitting peak wavelengths and, among the 2 or more types of quantum well layer, the quantum well layer having the longest main light-emitting peak wavelength is located, in the light emitting layer, at the second layer from the first nitride semiconductor layer side or beyond.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente dans laquelle un film multicouche à semi-conducteur de nitrure comprend une première couche semi-conductrice de nitrure, une seconde couche semi-conductrice de nitrure et une couche électroluminescente disposée entre la première couche semi-conductrice de nitrure et la seconde couche semi-conductrice de nitrure, un substrat transparent comporte une saillie sur une surface faisant face à la première couche semi-conductrice de nitrure, la couche électroluminescente comprenant, dans l'ordre à partir du côté de la première couche de semi-conducteur de nitrure, une pluralité de N couches de puits quantiques (N ≥2) à partir d'une première couche de puits quantique, la pluralité de couches de puits quantiques comportant au moins deux types de couche de puits quantiques pour émettre au moins deux types de lumière ayant des longueurs d'onde de pic électroluminescente principale différentes et, parmi les deux ou plus de deux types de couche de puits quantiques, la couche de puits quantiques ayant la plus grande longueur d'onde de pic électroluminescente principale est située, dans la couche électroluminescente, au niveau de la seconde couche à partir du côté de la première couche semi-conductrice de nitrure ou au-delà.
(JA)窒化物半導体多層膜は、第1の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層と、の間に設けられた発光層と、を備え、透明基板は、第1の窒化物半導体層と対向する面に凸部を有しており、発光層は、第1の窒化物半導体層側から順番に、第1の量子井戸層から第Nの量子井戸層(N≧2)の複数の量子井戸層を備え、複数の量子井戸層は、主発光ピークの波長が異なる2種類以上の光を射出する2種類以上の量子井戸層を有し、2種類以上の量子井戸層のうち、最も長波長の主発光ピークを有する量子井戸層は、発光層において、第1の窒化物半導体層側から2層目以降に位置している発光ダイオード。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)