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1. (WO2018008640) 被処理体を処理する方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/008640    国際出願番号:    PCT/JP2017/024508
国際公開日: 11.01.2018 国際出願日: 04.07.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
発明者: MORIKITA Shinya; (JP).
BANSE Takanori; (JP).
SEYA Yuta; (JP).
NIITSUMA Ryosuke; (US)
代理人: HASEGAWA Yoshiki; (JP).
KUROKI Yoshiki; (JP).
KASHIOKA Junji; (JP)
優先権情報:
2016-136177 08.07.2016 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PROCESSING MEMBER TO BE PROCESSED
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UN ÉLÉMENT À TRAITER
(JA) 被処理体を処理する方法
要約: front page image
(EN)A method MT according to an embodiment provides a technique which enables pattern shape control during processing of an organic film and the like. A wafer W to which the method MT according to the embodiment is to be applied is provided with a layer to be etched EL, an organic film OL, and a mask ALM. The organic film OL is configured from a first area VL1 and a second area VL2. The mask ALM is disposed on the first area VL1. The first area VL1 is disposed on the second area VL2. The second area VL2 is disposed on the layer to be etched EL. The method MT comprises: generating a plasma of a gas including nitrogen gas in a processing container 12 in which the wafer W is contained, and etching the first area VL1 until the second area VL2 is reached; forming a mask OLM1 from the first area VL1; forming a protection film SX on a side surface SF of the mask OLM1 in a conformal manner; and etching the second area VL2 until the layer to be etched EL is reached to form a mask OLM2 from the second area VL2.
(FR)Un procédé MT selon un mode de réalisation fournit une technique qui permet une commande de forme de motif pendant le traitement d'un film organique et similaire. Une tranche W sur laquelle le procédé MT selon le mode de réalisation à être appliqué est pourvue d'une couche à graver EL, d'un film organique OL et d'un masque ALM. Le film organique OL est constitué d'une première zone VL1 et d'une seconde zone VL2. Le masque ALM est disposé sur la première zone VL1. La première zone VL1 est disposée sur la seconde zone VL2. La seconde zone VL2 est disposée sur la couche à graver EL. Le procédé MT comprend : la génération d'un plasma d'un gaz comprenant de l'azote gazeux dans un récipient de traitement 12 dans lequel la tranche W est contenue, et à graver la première zone VL1 jusqu'à ce que la seconde zone VL2 soit atteinte; formant un masque OLM1 à partir de la première zone VL1; formant un film de protection SX sur une surface latérale SF du masque OLM1 d'une manière conforme; et à graver la seconde zone VL2 jusqu'à ce que la couche à graver EL soit atteinte pour former un masque OLM2 à partir de la seconde zone VL2.
(JA)一実施形態に係る方法MTは、有機膜等の加工においてパターン形状の制御が行える技術を提供する。一実施形態における方法MTの適用対象となるウエハWは被エッチング層ELと有機膜OLとマスクALMとを備え、有機膜OLは第1の領域VL1と第2の領域VL2とによって構成されマスクALMは第1の領域VL1上に設けられ第1の領域VL1は第2の領域VL2上に設けられ第2の領域VL2は被エッチング層EL上に設けられる。方法MTは、ウエハWが収容された処理容器12内において窒素ガスを含むガスのプラズマを生成して第1の領域VL1を第2の領域VL2に至るまでエッチングし、第1の領域VL1からマスクOLM1を形成し、マスクOLM1の側面SFに保護膜SXをコンフォーマルに形成し、第2の領域VL2を被エッチング層ELに至るまでエッチングして第2の領域VL2からマスクOLM2を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)