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1. (WO2018008561) 単結晶シリコン板状体およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/008561    国際出願番号:    PCT/JP2017/024235
国際公開日: 11.01.2018 国際出願日: 30.06.2017
予備審査請求日:    05.01.2018    
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01)
出願人: TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7458648 (JP)
発明者: MASADA, Isao; (JP).
TACHIBANA, Shoji; (JP)
代理人: MAEDA & SUZUKI; Iwanami Shoten Hitotsubashi Bldg. 8F., 5-5, Hitotsubashi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010003 (JP)
優先権情報:
2016-134375 06.07.2016 JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL SILICON PLATE-SHAPED BODY AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) CORPS EN SILICIUM MONOCRISTALLIN EN FORME DE PLAQUE ET PROCÉDÉ POUR SA PRODUCTION
(JA) 単結晶シリコン板状体およびその製造方法
要約: front page image
(EN)The objective of the invention is to develop a single crystal silicon that is turned into a device wherein a decrease in lifetime is suppressed and is highly efficient as a solar cell or a power device, even if heat processing at 800 to 1100°C is carried out in a device production step, in a single crystal silicon plate-shaped body having a high oxygen concentration. Provided is the single crystal silicon plate-shaped body similar to one cut out from the top portion of a straight body section of a CZ method-produced single crystal silicon ingot, and having an intracrystalline interstitial oxygen concentration of 25 to 45 ppma, and a substitutional carbon concentration of 0.5 ppma or lower in a central portion in the diameter direction. In the single crystal silicon plate-shaped body, the central portion in the diameter direction is such that, in a 200,000-fold magnified image by transmission electron microscope, no oxygen precipitate is observed in the bulk, and, after heating the single crystal silicon plate-shaped body at 950°C for 60 minutes, an oxygen precipitate is observed in the bulk in the 200,000-fold magnified image, the shape of the oxygen precipitate being observed as a polyhedron structure in a 2,000,000-fold magnified image.
(FR)L'objectif de l'invention est de mettre au point un silicium monocristallin qui est transformé en un dispositif dont la diminution de la durée de vie est supprimée et qui est hautement efficace en tant que cellule solaire ou dispositif d'alimentation, même si un traitement thermique à une température de 800 à 1100°C est effectué dans une étape de production du dispositif, dans un corps en silicium monocristallin en forme de plaque présentant une concentration élevée en oxygène. L'invention porte sur un corps en silicium monocristallin en forme de plaque similaire à celui découpé à partir de la partie supérieure d'une section de corps droit provenant d'un lingot en silicium monocristallin produit par un procédé CZ et présentant une concentration en oxygène interstitiel intracristallin de 25 à 45 ppma et une concentration en carbone de substitution de 0,5 ppma ou moins dans une partie centrale dans le sens du diamètre. Dans le corps en silicium monocristallin en forme de plaque, la partie centrale dans le sens du diamètre est telle que, dans une image agrandie 200.000 fois par un microscope électronique à transmission, aucun précipité d'oxygène n'est observé dans la masse et, après chauffage du corps en silicium monocristallin en forme de plaque à 950°C pendant 60 minutes, un précipité d'oxygène est observé dans la masse dans l'image agrandie 200.000 fois, la forme du précipité d'oxygène étant observée sous forme d'une structure polyédrique dans une image agrandie 2.000.000 fois.
(JA)高い酸素濃度の単結晶シリコン板状体において、デバイス製造工程で行われる800~1100℃の加熱処理が施されても、ライフタイムの低下が抑えられ、太陽電池やパワーデバイスとして高性能のものになる単結晶シリコンを開発することを目的とする。径方向中心部において、結晶中の格子間酸素濃度が25~45ppmaであり、且つ置換型炭素濃度が0.5ppma以下である、CZ法単結晶シリコンインゴットの直胴部上部から切り出されたような、単結晶シリコン板状体であって、前記径方向中心部が、透過電子顕微鏡による20万倍の画像において、バルク内に酸素析出物が観察されず、且つ、該単結晶シリコン板状体を、950℃で60分加熱した後では、前記20万倍の画像において、バルク内に酸素析出物が観察され、この酸素析出物の形状が、200万倍の画像で多面体構造に観察される、単結晶シリコン板状体が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)