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1. (WO2018008561) 単結晶シリコン板状体およびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/008561    International Application No.:    PCT/JP2017/024235
Publication Date: Fri Jan 12 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Jul 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/06
C30B 15/00
Applicants: TOKUYAMA CORPORATION
株式会社トクヤマ
Inventors: MASADA, Isao
正田 勲
TACHIBANA, Shoji
橘 昇二
Title: 単結晶シリコン板状体およびその製造方法
Abstract:
高い酸素濃度の単結晶シリコン板状体において、デバイス製造工程で行われる800~1100℃の加熱処理が施されても、ライフタイムの低下が抑えられ、太陽電池やパワーデバイスとして高性能のものになる単結晶シリコンを開発することを目的とする。径方向中心部において、結晶中の格子間酸素濃度が25~45ppmaであり、且つ置換型炭素濃度が0.5ppma以下である、CZ法単結晶シリコンインゴットの直胴部上部から切り出されたような、単結晶シリコン板状体であって、前記径方向中心部が、透過電子顕微鏡による20万倍の画像において、バルク内に酸素析出物が観察されず、且つ、該単結晶シリコン板状体を、950℃で60分加熱した後では、前記20万倍の画像において、バルク内に酸素析出物が観察され、この酸素析出物の形状が、200万倍の画像で多面体構造に観察される、単結晶シリコン板状体が提供される。