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1. (WO2018008529) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

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国際公開番号:    WO/2018/008529    国際出願番号:    PCT/JP2017/023990
国際公開日: 11.01.2018 国際出願日: 29.06.2017
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP).
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP)
発明者: TAKEUCHI Yuichi; (JP).
MITANI Shuhei; (JP).
SUZUKI Katsumi; (JP).
YAMASHITA Yusuke; (JP)
代理人: YOU-I PATENT FIRM; Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
優先権情報:
2016-133676 05.07.2016 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)The widths of p-type guard rings (21) are set in accordance with the intervals between adjacent p-type guard rings (21), and the widths increase as the intervals between the p-type guard rings (21) become larger. Furthermore, the width of frame-like parts (32) is set so as to be essentially equal to the width of p-type deep layers (5), and the interval between the frame-like parts (32) is set so as to be equal to the interval between the p-type deep layers (5). Accordingly, the differences between the formation areas of trenches (5a, 21a, 30a) per unit area in a cell section, a connecting section, and a guard ring section, can be reduced. Therefore, when a p-type layer (50) is formed, the differences between the amounts of the p-type layer (50) entering the trenches (5a, 21a, 30a) per unit area can also be reduced, and the thickness of the p-type layer (50) can be made uniform.
(FR)Selon la présente invention, les largeurs d'anneaux de garde de type p (21) sont établies en fonction des intervalles entre des anneaux de garde de type p adjacents (21), et les largeurs augmentent à mesure que les intervalles entre les anneaux de garde de type p (21) deviennent plus importants. En outre, la largeur des parties en forme de cadre (32) est établie de manière à être sensiblement égale à la largeur des couches profondes de type p (5), et l'intervalle entre les parties en forme de cadre (32) est établi de manière à être égal à l'intervalle entre les couches profondes de type p (5). En conséquence, les différences entre les zones de formation de tranchées (5a, 21a, 30a) par unité de surface dans une section de cellule, une section de connexion et une section d'anneau de garde peuvent être réduites. Par conséquent, lorsqu'une couche de type p (50) est formée, les différences entre les quantités de la couche de type p (50) entrant dans les tranchées (5a, 21a, 30a) par unité de surface peuvent également être réduites, et l'épaisseur de la couche de type p (50) peut être rendue uniforme.
(JA)p型ガードリング(21)の幅を隣り合うp型ガードリング(21)同士の間隔に合わせて設定し、p型ガードリング(21)同士の間隔が大きくなるほど幅が大きくなるようにする。また、枠状部(32)の幅を基本的にはp型ディープ層(5)の幅と等しくして枠状部(32)同士の間隔をp型ディープ層(5)同士の間隔と等しくする。これにより、セル部と繋ぎ部およびガードリング部において、単位面積当たりのトレンチ(5a、21a、30a)の形成面積の差を小さくできる。したがって、p型層(50)を形成する際に、単位面積当たりのトレンチ(5a、21a、30a)内に入り込むp型層(50の量の差も小さくなり、p型層(50)の厚みを均一化できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)