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1. (WO2018008527) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

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国際公開番号:    WO/2018/008527    国際出願番号:    PCT/JP2017/023988
国際公開日: 11.01.2018 国際出願日: 29.06.2017
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP).
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP)
発明者: TAKEUCHI Yuichi; (JP).
SUZUKI Katsumi; (JP).
WATANABE Yukihiko; (JP)
代理人: YOU-I PATENT FIRM; Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
優先権情報:
2016-133675 05.07.2016 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)All of the intervals between adjacent p-type guard rings (21) are made to be equal to or smaller than the interval between p-type deep layers (5). As a result, the intervals between the p-type guard rings (21) become larger, i.e. trenches (21a) become less dense, and thus a p-type layer (50) can be inhibited from being formed thick in a guard ring section when grown epitaxially. Accordingly, if the p-type layer (50) in a cell section is to be removed during etching back, the p-type layer (50) can be removed without leaving residue in the guard ring section. Therefore, when the p-type layer (50) is etched back and the p-type deep layers (5), the p-type guard rings (21), and p-type connecting layers (30) are formed, residue of the p-type layer (50) can be inhibited from being left in the guard ring section.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur dans lequel tous les intervalles entre les anneaux de protection de type p adjacents (21) sont conçus pour être égaux ou inférieurs à l'intervalle entre les couches profondes de type p (5). En conséquence, les intervalles entre les anneaux de protection de type p (21) deviennent plus importants, c'est-à-dire que les tranchées (21a) deviennent moins denses, ce qui permet d'empêcher la formation en épaisseur d'une couche de type p (50) dans une section d'anneau de protection lorsqu'elle est développée de manière épitaxiale. Par conséquent, si la couche de type p (50) dans une section de cellule doit être retirée pendant la gravure en retrait, la couche de type p (50) peut être retirée sans que du résidu reste dans la section d'anneau de protection. De ce fait, lorsque la couche de type p (50) est gravée en retrait et que les couches profondes de type p (5), les anneaux de protection de type p (21) et des couches de liaison de type p (30) sont formés, il est possible d'empêcher que du résidu de la couche de type p (50) reste dans la section d'anneau de protection.
(JA)隣り合うp型ガードリング(21)同士の間隔がすべてp型ディープ層(5)同士の間隔以下となるようにする。これにより、p型ガードリング(21)の間隔が大きくなること、つまりトレンチ(21a)が疎となることによって、p型層(50)をエピタキシャル成長させたときにガードリング部で厚く形成されることを抑制できる。したがって、エッチバック時にセル部のp型層(50)を除去すれば、ガードリング部においても残渣が残ることなくp型層(50)を除去することが可能になる。よって、p型層(50)をエッチバックしてp型ディープ層(5)やp型ガードリング(21)およびp型繋ぎ層(30)を形成する際に、ガードリング部にp型層(50)の残渣が残ってしまうことを抑制できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)