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1. (WO2018008512) 欠陥検出装置、欠陥検出方法、ウェハ、半導体チップ、半導体装置、ダイボンダ、ボンディング方法、半導体製造方法、および半導体装置製造方法

Pub. No.:    WO/2018/008512    International Application No.:    PCT/JP2017/023932
Publication Date: Fri Jan 12 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jun 30 01:59:59 CEST 2017
IPC: G01N 21/956
H01L 21/301
H01L 21/52
H01L 21/66
Applicants: CANON MACHINERY INC.
キヤノンマシナリー株式会社
Inventors: TAI Haruka
田井 悠
KAMBAYASHI Atsumasa
上林 篤正
Title: 欠陥検出装置、欠陥検出方法、ウェハ、半導体チップ、半導体装置、ダイボンダ、ボンディング方法、半導体製造方法、および半導体装置製造方法
Abstract:
濃淡パターンのある濃淡層と、この濃淡層の濃淡パターンを覆う被覆層とを備えたワークにおける被覆層に形成された欠陥を検出する。照明器から照射される照明光は、少なくとも濃淡層から反射し撮像装置に入射する光よりも、前記被覆層から反射又は散乱されて撮像装置に入射する光の強度が大きい波長である。このため、濃淡層の濃淡パターンの影響を低くする光である。