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1. (WO2018008389) 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/008389    国際出願番号:    PCT/JP2017/022678
国際公開日: 11.01.2018 国際出願日: 20.06.2017
IPC:
H01L 21/301 (2006.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
発明者: ONO Shogo; (JP)
代理人: NISHIKAWA Takashi; (JP).
INAMOTO Yoshio; (JP)
優先権情報:
2016-132250 04.07.2016 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器
要約: front page image
(EN)The present technology relates to: a semiconductor device enabling to prevent a tape scrap from being generated due to a dicing tape at the time of performing dicing; a method for manufacturing the semiconductor device; and an electronic apparatus. Disclosed is a semiconductor device manufacturing method wherein, at the time of dividing a semiconductor substrate having formed thereon a protection film for protecting a circuit surface, dicing is performed so as to have a portion where the cross-sectional width of the semiconductor substrate and the cross-sectional width of the protection film are different from each other. The present technology can be applied to, for instance, a wafer-level chip size package (CSP) manufacturing step.
(FR)La présente technologie concerne : un dispositif à semi-conducteur permettant d'empêcher la génération de chutes de bande due à une bande de découpage en puces élémentaires au moment de l'exécution du découpage en puces élémentaires ; un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur ; et un appareil électronique. L'invention porte sur un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur dans lequel, au moment de la division d'un substrat à semi-conducteur sur lequel est formé un film de protection pour protéger une surface de circuit, le découpage en puces élémentaires est effectué de façon à avoir une partie où la largeur de section transversale du substrat semi-conducteur et la largeur de section transversale du film de protection sont différentes l'une de l'autre. La présente technologie peut être appliquée, par exemple, à une étape de fabrication de boîtier-puce (CSP) au niveau de la tranche.
(JA)本技術は、ダイシング時にダイシングテープからテープ屑が発生することを防止することができるようにする半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 回路面を保護する保護膜が形成されている半導体基板を分割する際、半導体基板の断面幅と保護膜の断面幅が異なる部分を有するようにダイシングが行われる。本技術は、例えば、ウエハレベルCSPの製造工程等に適用できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)