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1. (WO2018004009) p型酸化物半導体及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/004009 国際出願番号: PCT/JP2017/024275
国際公開日: 04.01.2018 国際出願日: 30.06.2017
IPC:
H01L 21/365 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/337 (2006.01) ,H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 21/368 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/24 (2006.01) ,H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/808 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01) ,H01L 29/872 (2006.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H02M 3/28 (2006.01)
出願人: FLOSFIA INC.[JP/JP]; 1-36, Goryoohara, Nishikyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158245, JP
KYOTO UNIVERSITY[JP/JP]; 36-1, Yoshida-honmachi Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068501, JP
発明者: FUJITA Shizuo; JP
KANEKO Kentaro; JP
HITORA Toshimi; JP
TANIKAWA Tomochika; JP
優先権情報:
2016-13115630.06.2016JP
発明の名称: (EN) p-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE DE TYPE p ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(JA) p型酸化物半導体及びその製造方法
要約: front page image
(EN) Provided are a novel and useful p-type oxide semiconductor that has excellent electrical conductivity, and a method for manufacturing the same. Through an atomization step for atomizing a raw material solution that contains d block metals of the periodic table and group 13 metals of the periodic table to generate mist, a carrying step for using a carrier gas to carry the mist to near the surface of a base, and a process for thermally reacting the mist near the base surface in an oxygen atmosphere, a p-type oxide semiconductor having a metal oxide that contains d block metals of the periodic table and group 13 metals of the periodic table as a main component is formed on the base.
(FR) L'invention concerne un semi-conducteur à oxyde de type p nouveau et utile qui présente une excellent conductivité électrique, et un procédé pour sa fabrication. Par une étape d'atomisation visant à atomiser une solution de matière première qui contient des métaux du bloc d du tableau périodique et des métaux du groupe 13 du tableau périodique pour générer un brouillard, une étape de transport visant à utiliser un gaz porteur pour transporter le brouillard jusqu'à proximité de la surface d'une base, et par un processus visant à faire réagir thermiquement le brouillard près de la surface de la base dans une atmosphère d'oxygène, un semi-conducteur à oxyde de type p comprenant un oxyde métallique qui contient des métaux du bloc d du tableau périodique et des métaux du groupe 13 du tableau périodique en tant que constituant principal est formé sur la base.
(JA) 良好な導電性を有する新規且つ有用なp型酸化物半導体とその製造方法を提供する。周期律表のdブロック金属及び周期律表の第13族金属を含む原料溶液を霧化してミストを生成する霧化工程と、キャリアガスを用いて、基体の表面近傍まで前記ミストを搬送する搬送工程と、前記ミストを前記基体表面近傍にて酸素雰囲気下で熱反応させることにより、前記基体上に、周期律表のdブロック金属及び周期律表の第13族金属を含む金属酸化物を主成分とするp型酸化物半導体を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)