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1. (WO2018003864) 半導体装置、および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/003864    国際出願番号:    PCT/JP2017/023765
国際公開日: 04.01.2018 国際出願日: 28.06.2017
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
発明者: BANNO Naoki; (JP).
TADA Munehiro; (JP)
代理人: SHIMOSAKA Naoki; (JP)
優先権情報:
2016-131469 01.07.2016 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are: a semiconductor device in which a non-volatile switch on which a rectifier is mounted and a non-volatile element on which a rectifier is not mounted are formed in the same wiring; and a method for producing a semiconductor device. The semiconductor device comprises a first switching element and a second switching element disposed in the signal path of a logic circuit. The first switching element has a rectifier and a variable resistance element. The second switching element does not have the rectifier but has a variable resistance element. The first switching element and the second switching element are formed in the same wiring layer.
(FR)L'invention concerne : un dispositif à semi-conducteur dans lequel un commutateur non volatil sur lequel est monté un redresseur et un élément non volatil sur lequel n'est monté aucun redresseur sont formés dans le même câblage ; et un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend un premier élément de commutation et un second élément de commutation disposés dans le trajet de signal d'un circuit logique. Le premier élément de commutation comporte un redresseur et un élément à résistance variable. Le second élément de commutation n'a pas de redresseur mais possède un élément à résistance variable. Le premier élément de commutation et le second élément de commutation sont formés dans la même couche de câblage.
(JA)整流素子を搭載した不揮発スイッチと、整流素子を搭載しない不揮発素子とが同一配線中に形成された半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。半導体装置は、論理回路の信号経路中に設けられた第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子を含み、上記第1のスイッチング素子は、整流素子と、抵抗変化素子とを有し、上記第2のスイッチング素子は、上記整流素子を持たず、抵抗変化素子を有し、上記第1のスイッチング素子と上記第2のスイッチング素子とが同一配線層中に形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)